在用引上法生长的Yb:YAG晶体中,存在一个独特的色心,其吸收带位于375nm和625nm,随着Yb2O3掺杂浓度的增加,色心浓度增加。探讨了晶体生长过程中色心形成机理。高强C射线辐照Yb:YAG晶体,诱导大量色心的形成。晶体中的色心对激发态Yb3+离子的荧光寿命具有淬灭效应,因此,Yb:YAG激光晶体需要经高温退火,消除色心的影响。

测定了提拉法生长的不同掺杂浓度的Yb:YAG晶体从紫外到近红外区的吸收光谱,发现高温氧化气氛退火后原先可见光区色心宽带吸收消失的同时,在紫外区出现新的吸收带,并通过色心的转化对这一现象进行了解释.在紫外区和近红外区吸收光谱中,发现随掺杂浓度的升高220 nm和940 nm附近的吸收带的位置略有移动,提出是由于Yb3+离子掺杂引起的晶格结构畸变导致了Yb:YAG晶体光谱性质的改变.通过X射线衍射对不同掺杂浓度Yb:YAG晶体晶胞参数的测定,证实高的掺杂浓度导致Yb:YAG晶体发生较大的晶格畸变.在