首次通过实验证明了使用拓扑绝缘体Bi2Se3作为可饱和吸收体的Q开关Yb：KGW固态激光器。 Bi2Se3饱和吸收体在高反射镜上制成薄膜。通过将其插入到Yb：KGW激光器中，可以获得Q开关操作。最高平均输出功率为439.4 mW，相应的重复频率，脉冲宽度和脉冲能量分别为166.7 kHz，1.6μs和2.64μJ。据我们所知，这是带有拓扑绝缘体吸收体的拓扑绝缘体调制激光器中最高的输出功率。

首次通过实验证明了使用拓扑绝缘体Bi2Se3作为可饱和吸收体的Q开关Yb：KGW固态激光器。 Bi2Se3饱和吸收体在高反射镜上制成薄膜。通过将其插入到Yb：KGW激光器中，可以获得Q开关操作。最高平均输出功率为439.4 mW，相应的重复频率，脉冲宽度和脉冲能量分别为166.7 kHz，1.6μs和2.64μJ。据我们所知，这是带有拓扑绝缘体吸收体的拓扑绝缘体调制激光器中最高的输出功率。