应用坩埚下降法技术,以同成份化学摩尔分数[x(Li2O)=48.6%,x(Nb2O5)=51.4%]为原料,生长出了以不同Zn,Eu双掺杂的LiNbO3晶体。测定了晶体下部与上部的X射线衍射图(XRD)、激发光谱、荧光光谱以及声子边带谱。Zn的掺杂量对Eu3+离子在晶体中的分布产生很大的影响。Zn掺杂摩尔分数为3%时,Eu3+离子在进入晶格时受到有效的压制。随着Zn掺杂摩尔分数提高,达到6%时,压制作用减弱。从Zn2+离子在LiNbO3中随浓度变化的分凝情况以及对Eu3+离子的排斥作用解释了Eu

用前向二波耦合实验方法,对几种掺杂的LiNbO3晶体的光折变性质中出现的光伏现象进行了研究。在双掺杂的Ce:Fe:LiNbO3晶体中得到强纵向光伏效应,该效应可以对衍射效率产生59.7%的调制;在单掺杂的Ce:LiNbO3和Zn:LiNbO3等晶体中,得到由横向光伏效应产生的偏振态记录光栅。

报道了一种新掺杂铌酸锂晶体Zn∶Fe∶LiNbO3,它具有优良的光折变四波混频性能,位相共轭反射率可达100%。且与Fe∶LiNbO3相比,抗光散射能力强,响应速度快。本文通过对高掺ZnO后晶体的抗光损伤能力和光电导值的测试分析,讨论了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光散射和响应速度提高的机理。

在LiNbO3晶体中掺入ZnO,生长ZnO:LiNbO3晶体,当ZnO的掺入浓度高于6mol%时,晶体的抗光损伤能力提高两个数量级,与高掺MgO(>4.6mol%)相似。Zn:LiNbO3的倍频转换效率可达50%左右,高于Mg:LiNbO3。本文对Zn:LiNbO3晶体中Zn2+离子占位以及抗光损伤增强机理进行了初步探讨。

利用离子注入技术制备了不同Zn 离子剂量掺杂的铌酸锂样品，研究了Zn 离子注入对LiNbO3 晶体红外光谱特性的影响。实验结果显示Zn离子已成功地注入到LiNbO3晶体中，以Zn原子纳米颗粒形式存在，且注入深度约为80 nm。与纯LiNbO3晶体在3486、2851 和2917 cm- 1处的主次吸收峰的位置相比，三种掺杂Zn 离子剂量的样品主吸收峰的位置均出现在3483 cm- 1 处，发生了微小的红移，次吸收峰的位置基本保持不变。Zn 离子注入使x-切向LiNbO3晶体的透射率增大，z-切向