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  1. ZnO基金属-绝缘体-半导体结构器件中的电泵浦随机激射:ZnO膜厚的影响

  2. 在我们以前的报告中[Ma et al。,Appl。 物理来吧91,251109(2007)],已经通过基于硅衬底上的ZnO膜的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构实现了多晶ZnO膜的电泵浦随机激射(RL)。 在本文中,我们研究了ZnO膜厚度对基于ZnO的MIS结构的器件的阈值电流和RL的输出功率的影响。 发现RL阈值电流随ZnO膜厚度的增加而增加。 此外,在小注入电流下,RL的输出功率随ZnO膜厚度的增加而减小,而在大注入电流下,其输出功率随ZnO膜厚度的增加而增大。 已经根据RL的两个成分,即多
  3. 所属分类:其它