已经研究了沉积在Si（100），（110）和（111）衬底上的ZnO薄膜的面内晶粒尺寸，以定量地了解晶粒尺寸和界面失配之间的关系。 在界面附近的岛生长的后期，平均面内晶粒尺寸被测量为分别为5.6nm，6.5nm和5.0nm。 在连续成膜的初始阶段，Si（100）和（110）基板上的晶粒尺寸增加，并且晶粒在[bar（1）上沿bar0]（ZnO）方向在[2（1）上）伸长。 这些晶粒尺寸主要由界面失配和界面处的弹性应变能决定。 然后，分别通过O晶格计算和界面能计算来解释在岛生长的后期和连续成膜的初始阶