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  1. BCD工艺概述

  2. 介绍了BCD (bipolar CMOS DMOS）的工艺原理、特点和发展前景。对BCD 工艺兼容性 进行了说明，着重阐述了L D M O S 的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用，指出B C D 工艺朝着 高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展，并对B C D 工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示 驱动这两大市场驱动进行了分析，并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-07-29
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：spw256

  1. 关于BCD process

  2. 这里有关于BCD工艺详细资料

  3. 所属分类：互联网

    • 发布日期：2016-09-22
    • 文件大小：792kb
    • 提供者：qq_36207637

  1. 600V BC工艺及驱动

  2. 基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内 3 μm CMOS 工艺 基础上, 开发出 8 ～ 9 μm 薄外延上的 600 V LDMOS 器件及高低压兼容 BCD 工艺, 并设计出几款 600 V 高压半桥栅驱动电路 。该工艺在标准 3 μm 工艺基础上增加 N 埋层、P 埋层及 P-to p 层 , P 埋层和 P 阱对通隔离, 形成各自独立的 N-外延岛 。实验测试结果表明:LDM OS 管耐压达 680 V 以上 ,低压 NM OS 、PM OS 及 NPN 器件绝

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-04-09
    • 文件大小：957kb
    • 提供者：u010823711

  1. 一种新型的BCD工艺

  2. 讲述一种新型的BCD工艺栅极驱动的集成电路！

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-05-06
    • 文件大小：237kb
    • 提供者：u012599405

  1. 600V高低压兼容BCD工艺及驱动设计

  2. 600V高低压兼容BCD工艺及驱动设计

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-10-23
    • 文件大小：544kb
    • 提供者：jhua02210221

  1. BCD工艺介绍文章

  2. 集成电路版图BCD工艺介绍文章一篇，全英文

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2012-03-07
    • 文件大小：792kb
    • 提供者：prayer163

  1. 显示/光电技术中的TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺

  2. TSMC推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。 　　此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字核心模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38663415

  1. 电源技术中的BCD推出高性能双路低压差稳压器新系列AP2401

  2. BCD半导体（BCD Semiconductor Manufacturing Limited）宣布推出新系列的高性能双路LDO(低压差稳压器)- AP2401，该芯片具有高纹波抑制比，低压差，低噪声，高输出电压精度，电流消耗小等特性，因此能很好的适用于各种电池供电的设备中。通过电路使能端，可以独立地开启/关闭该电路任一通道的输出，极大地降低功耗。  　　AP2401系列产品是以CMOS工艺制造的双路正向电压LDO稳压器。该电路内置一个电压基准源，两个误差放大器，两个电阻网络设置输出电压。每一个通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38608726

  1. 模拟技术中的BCD单路低电压运算放大器AZV321面向电池供电应用

  2. BCD半导体(BCD Semiconductor Manufacturing Limited)近日推出一款单路低电压运算放大器AZV321，其轨至轨输入和输出驱动能力可为用户提供低压应用所需的宽动态范围。输入共模电压范围可以包括接地。这一放大器具有优秀的快速功率比，在低电源电流时可达到1MHz的带宽和1V/μs的上升速率。AZV321放大器的设计可以完全满足要向更低电源电压迁移的高速设计方案需求，它适用于主动式滤波器、低功率、低电压应用、通用手持设备、蜂窝电话、无绳电话以及电池供电系统。  　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38670983

  1. 电源技术中的BCD推出高压霍尔开关电路AH278

  2. 日前，BCD半导体制造有限公司推出了一款集成霍尔传感器、具有高压和大电流输出驱动能力的霍尔开关电路——AH278。该款芯片用于直流无刷马达的电子切换，主要应用在12V/24V 双线圈无刷 DC 马达或风扇上，具有高压、大电流和适合高温工作的特点。用该IC生产的马达或风扇主要应用在电源和配电盘，通讯设施和工业设备等领域。    　　AH278的特殊设计和工艺技术可使它在宽电源电压范围内工作。其内部不仅有包括用于磁性检测的霍尔电压传感器， 霍尔电压放大器， 抑制开关迟滞噪声的施密特触发器和可吸纳大负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38535808

  1. 电源技术中的BCD推出适合手持式设备的低压差线性稳压器（LDO Linear Regulator）—AP2121

  2. 日前,BCD Manufacturing Limited宣布推出一款低压差线性稳压器AP2121,该产品是采用BCD的低噪声低功耗CMOS工艺设计生产,具有低压差、低噪声、高电源纹波抑制比、低静态电流的等特点,其最大输出电流能力的最小值为150mA,并内置限流保护电路(300mA)和芯片使能电路。 　　AP2121的主要特征包括:静态工作电源电流为25uA;在输出电流150mA时的输入输出压差小于200mV;电源纹波抑制比为70dB1kHz且不需要外接补偿电容,其输出噪声小于30uVrms。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38674050

  1. 电源技术中的BCD推出适合手持式设备的低压差线性稳压器AP2121

  2. 日前，BCD Manufacturing Limited宣布推出一款低压差线性稳压器AP2121，该产品是采用BCD的低噪声低功耗CMOS工艺设计生产，具有低压差、低噪声、高电源纹波抑制比、低静态电流的等特点，其最大输出电流能力的最小值为150mA，并内置限流保护电路（300mA）和芯片使能电路。 　　 　　AP2121的主要特征包括：静态工作电源电流为25uA；在输出电流150mA时的输入输出压差小于200mV；电源纹波抑制比为70dB1KHz且不需要外接补偿电容，其输出噪声小于30uV

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38711110

  1. 模拟技术中的BCD半导体公司单路低压运算放大器AZV321

  2. BCD半导体（BCD Semiconductor Manufacturing Limited）近日推出一款单路低电压运算放大器AZV321，其轨至轨输入和输出驱动能力, 可为用户提供低压应用所需的宽动态范围。输入共模电压范围可以包括接地。这一放大器具有优秀的快速功率比, 在低电源电流时可达到1MHz的带宽和 1V/?s 的上升速率。AZV321放大器的设计可以完全满足要向更低电源电压迁移的高速设计方案需求，它适用于有源滤波器，低功率, 低电压应用，通用手持设备，蜂窝电话, 无绳电话以及电池供电系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38562085

  1. 电源技术中的BCD半导体推出高性能双路LDO稳压器

  2. BCD半导体推出新系列的高性能双路LDO(低压差稳压器)- AP2401，该芯片具有高纹波抑制比，低压差，低噪声，高输出电压精度，电流消耗小等特性，因此能很好的适用于各种电池供电的设备中。通过电路使能端，可以独立地开启/关闭该电路任一通道的输出，极大地降低功耗。 　　AP2401系列产品是以CMOS工艺制造的双路正向电压LDO稳压器。该电路内置一个电压基准源，两个误差放大器，两个电阻网络设置输出电压。每一个通道都具备一个限流电路用于过流保护。该芯片还具有以下特点： 最大输出电流/通道:

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38695727

  1. 元器件应用中的BCD半导体推出双路LDO稳压器–AP2401

  2. BCD半导体（BCD Semiconductor Manufacturing Limited）日前宣布推出新系列的高性能双路LDO(低压差稳压器)- AP2401，该芯片具有高纹波抑制比，低压差，低噪声，高输出电压精度，电流消耗小等特性，因此能很好的适用于各种电池供电的设备中。通过电路使能端，可以独立地开启/关闭该电路任一通道的输出，极大地降低功耗。 　　AP2401系列产品是以CMOS工艺制造的双路正向电压LDO稳压器。该电路内置一个电压基准源，两个误差放大器，两个电阻网络设置输出电压。每

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38695727

  1. BCD推出新款PWM控制单相H-桥风扇马达驱动芯片

  2. 日前，新进半导体有限公司推出了一款带PWM控制的单相H-桥风扇马达驱动芯片--AM4961。该款芯片是采用PWM控制可变速的单相无刷直流风扇马达驱动电路，除直接通过改变VTH 端电压来调速外，还可外接热敏电阻，来控制风扇转速，当系统温度高时，风扇转速快，温度低时，转速慢，在满足系统散热要求的同时，节约系统能量，降低系统噪音，主要应用在CPU的散热风扇上，可满足PC、工作站、电信和LAN服务器以及工业控制和仪器设备系统散热的要求。　　AM4961采用Bipolar工艺，最高的工作电压可达18V，最

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38700779

  1. 模拟技术中的BCD推出单路低电压运算放大器AZV321

  2. BCD半导体(BCD Semiconductor Manufacturing Limited)近日推出一款单路低电压运算放大器AZV321,其轨至轨输入和输出驅動能力, 可为用户提供低压应用所需的宽动态范围.输入共模电压范围可以包括接地.这一放大器具有优秀的快速功率比, 在低电源电流时可達到1MHz的带宽和 1V/µs 的上升速率.AZV321放大器的设计可以完全满足要向更低电源电压迁移的高速设计方案需求,它适用于主動式滤波器,低功率, 低电压应用,通用手持设备,蜂窝电话, 无绳电话以及电池供电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38514322

  1. 元器件应用中的BCD推出适合手持设备的低压差线性稳压器AP2121

  2. 日前，BCD Manufacturing Limited宣布推出一款低压差线性稳压器AP2121，该产品是采用BCD的低噪声低功耗CMOS工艺设计生产，具有低压差、低噪声、高电源纹波抑制比、低静态电流的等特点，其最大输出电流能力的最小值为150mA，并内置限流保护电路（300mA）和芯片使能电路。     AP2121的主要特征包括：静态工作电源电流为25uA；在输出电流150mA时的输入输出压差小于200mV；电源纹波抑制比为70dB1KHz且不需要外接补偿电容，其输出噪声小于30uVrm

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38714532

  1. 电源技术中的BCD适合手持式设备的低压差线性稳压器AP2121

  2. BCD推出一款低压差线性稳压器AP2121，该产品是采用BCD的低噪声低功耗CMOS工艺设计生产，具有低压差、低噪声、高电源纹波抑制比、低静态电流的等特点，其最大输出电流能力的最小值为150mA，并内置限流保护电路（300mA）和芯片使能电路。 　　AP2121的主要特征包括：静态工作电源电流为25uA；在输出电流150mA时的输入输出压差小于200mV；电源纹波抑制比为70dB1KHz且不需要外接补偿电容，其输出噪声小于30uVrms。 　　AP2121系列提供1.5V, 1.8V, 2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38657848

  1. TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺

  2. TSMC推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。 　　此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38654315
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