利用电子回旋共振(ECR)微波增强化学气相沉积法(PECVD)并使用氮气(N2),氩气(Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为6.35 cm的(100)单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝(AlN)薄膜,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜(SEM)分析了薄膜特征,研究了微波功率、基板温度和N2流量对薄膜c轴定向的影响,得到了c轴偏差角小于5°的高质量大面积AlN薄膜.