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搜索资源列表

  1. 触控技术应用---ITO薄膜技术

  2. 触摸屏相关行业人员可学习学习。文件是PDF格式的。

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2011-03-11
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：w13926555221

  1. PMP输入输出ITO联想记忆

  2. PMP输入输出ITO联想记忆

  3. 所属分类：专业指导

  1. ITE官方tool，查看ITO SIO的heardware monitor寄存器利器。

  2. ITE官方tool，查看ITO SIO的heardware monitor寄存器利器。支持ITE 8728 8720 87×××等等

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2013-06-16
    • 文件大小：425984
    • 提供者：qpsoso

  1. PMP考试ITO解析

  2. PMP考试的ITO经典解析。里面包含对PMP的所有知识域的过程组的ITO，方便记忆。

  3. 所属分类：软考等考

    • 发布日期：2014-09-26
    • 文件大小：343040
    • 提供者：jay8459

  1. ITO薄膜性能及制成技术的发展

  2. 真正进行透明导电薄膜材料的研究工作还是19世纪末，当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-31
    • 文件大小：140288
    • 提供者：tianya80

  1. PMP十大知识领域思维导图

  2. PMP ITO思维导图学习资料，已经分配好的，2018年最新第六版PMP资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-07-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zyc646627985

  1. PMP的ITO总结

  2. PMP课程的ITO工具总结，可以帮助大家好好学习ITO的内容

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-09-11
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_43178663

  1. 项目管理47个过程ITO一页纸.pdf

  2. 软考高级项目管理47个过程ITO一页纸，打印出来上下班过程可以背一背

  3. 所属分类：软考等考

    • 发布日期：2019-08-12
    • 文件大小：164864
    • 提供者：haolayu

  1. ITO / SiOx / c-Si异质结太阳能电池的低温特性

  2. ITO / SiOx / c-Si异质结太阳能电池的低温特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38657139

  1. 溶胶浓度对Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ITO阻变异质结性能的影响研究

  2. 溶胶浓度对Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ITO阻变异质结性能的影响研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-01
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38606169

  1. 退火温度对ITO玻璃上沉积的Mg“ 0”。“ 2Zn” 0“。” 8O薄膜的电阻开关行为的影响

  2. 采用Sol-Gel法在ITO玻璃基板上制备了Mg0.2Zn0.8O薄膜用于电阻随机存取存储器，研究了退火温度对电阻开关行为的影响。 随着退火温度的升高，Mg0.2Zn0.8O薄膜的结晶度可以得到改善，其导通电压，截止电压，低电阻态的电阻以及高电阻态与低电阻态的电阻比呈现出Mg0.2ZnO0.8O;增大，但开关循环的耐久力下降，高阻态电阻降低。 保持切换； 退火温度溶胶凝胶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：534528
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 通过射频磁控溅射制备的具有TiO“ 2薄晶种层的ITO膜的结构，电学和光学性质

  2. 通过射频磁控溅射制备的具有TiO“ 2薄晶种层的ITO膜的结构，电学和光学性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：510976
    • 提供者：weixin_38528463

  1. 基于ITO特性的亚波长表面等离子激元波导

  2. 透明光学玻璃中的氧化铟锡(ITO)是一种高度简并的半导体，其介电常数随入射波长变化且为复数。以此作为介质层，设计了Ag-ITO-Ag波导结构，研究了其表面等离子激元（SPP）的相关特征参数及电磁波在该结构中的传输特性。具体给出了这种结构波导的场分布、SPP波长、传播距离及色散方程的表达式，讨论了其色散特性；研究了其群速度随入射波长的变化关系，讨论了介质层厚度对群速度的影响，以及相同的覆层结构(Ag)不同中心介质(ITO,air,SiO2)对群速度的影响及其慢光效应。结果表明，Ag-ITO-Ag波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38633083

  1. 基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

  2. 用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200 ℃)能在保证薄膜85％以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：942080
    • 提供者：weixin_38724535

  1. ITO对新型AlGaInP红光LED特性的影响

  2. 用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压先下降后上升,并且两者都在435 ℃达到最优值。通过霍尔测试研究退火对ITO薄膜电学特性的影响,发现这是由于ITO在经过435 ℃退火后,电阻率最小,载流子浓度最大,因而减小了ITO的体电阻和p型欧姆接触电阻,降低了LED工作电压,同时增加了I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38641876

  1. 热光伏系统中ITO薄膜滤波器的设计与制备

  2. 氧化铟锡(ITO)半导体薄膜为典型的宽禁带半导体材料，具有短波高透射、长波高反射以及超宽的反射带等特性，满足热光伏(TPV)系统对滤波器的要求。以载流子浓度N和迁移率μ以及膜层厚度d为参数，对ITO薄膜的光学性质进行了仿真，给出了在不同参数下滤波器的光谱曲线。通过磁控溅射薄膜沉积系统制备了ITO薄膜，对退火处理后的滤波器进行了光学性能测试，最终得到可用于热光伏系统的ITO薄膜滤波器。制备的与GaSb电池匹配的滤波器截止波长为2 μm，短波平均透射率接近70%，长波平均反射率接近70%，而且超宽的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38752282

  1. android-app：ito是一款基于STRICT跟踪感染的移动应用-源码

  2. android-app：ito是一款基于STRICT跟踪感染的移动应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-02
    • 文件大小：390144
    • 提供者：weixin_42097819

  1. ITO薄膜表面等离子体共振波长的可控调节

  2. 采用直流磁控溅射的方式，在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间，制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16 nm逐渐增大到271 nm，其结晶程度得到增强，对应的载流子浓度由4.79×1020 cm-3增大到2.41×1021 cm-3，表面等离子体共振(SPR)波长由1802 nm逐渐蓝移到1204 nm，实现了近红外区域SPR波长较宽范围的可控调节。采用Drude自由电子气模型，对不同厚度ITO薄膜的SPR波长进行了理论计算，进一步证明了SPR波长的有效调节取决于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38732842

  1. 基于无掩模光刻的高精度ITO电极湿法刻蚀工艺研究

  2. 氧化铟锡(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、耐高温等优点,在光电领域具有重要应用。现有加工方法得到的ITO电极尺寸一般为10~200 μm,这限制了ITO电极在微纳领域的应用,为解决此限制,在传统湿法刻蚀方法的基础上,利用无掩模光刻技术对ITO玻璃表面光刻胶进行高精度曝光,再通过优化曝光、显影及刻蚀等过程,最终加工出尺寸仅为2 μm的电极。所提方法所加工的电极具有线性度高、无钻蚀、误差小等优点,为ITO电极在微纳领域应用开发提供了有现实意义的参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38529239

  1. 苏州瀚瑞微电子推出触控ITO和PCB模组

  2. 苏州瀚瑞微电子有限公司(PixcIR)在推出14款电容式ITO模组后，日前宣布推出Notebook触控面板。 　　PIXCIR的研发团队分别位于瑞士和苏州，电容式触控技术在ITO的展现是集数学、光学、化学、电子学、材料学于一体的技术，目前由欧洲团队主导研发，而在PCB、FPC的应用上由苏州团队自主设计。 　　Pixcir和合作伙伴共同研发出的2.4"、2.8"、3.0"、3.2"、3.17"、3.3"、3.4"、3.5"(宽高比例2:3)、3.5"(宽高比例4:3)、4.1"、4.3"、5.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38564826
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