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搜索资源列表

  1. led蓝宝石衬底

  2. LED蓝宝石衬底深度研究，下游需求释放加速。非常有用的啊。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-12-14
    • 文件大小：438kb
    • 提供者：tpstruggle

  1. LED照明试卷(含答案)

  2. 对于GaAs,SiC导电衬底，具有面电极的5、色温越偏蓝，色温越 高（冷） 红、黄（单电极或L型） 银胶的性能和作用主要体现在： 固定芯 片 LED胶体包括A，B，C，D胶，它们分别指的是 主剂、 色剂 ...展开收缩

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-03-27
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：huangshuisheng

  1. LED入门系列课件_第五章_LED衬底材料与制造技术

  2. LED入门系列课件_第五章_LED衬底材料与制造技术 第五章 LED衬底材料与制造技术 §1 LED的外延生长 §2 LED的芯片制备 §3 LED的封装技术

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-07-07
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：ecko33

  1. LED衬底晶片生产管理系统

  2. 本程序提供为LED寸底晶片的生产管理系统，有着较强的晶片流程控制。为企业定制开发，洁净室检验片【通过web网页+平板电脑的形式对片进行检验】，包括打包包装是通过条形码， 后续为PT850 新大陆扫描器出库。 2.ufsg2.rar 为2008sql,还原数据库，名字为ufsg2 3. 登录密码 admin ,密码123 4.需定制开发条码或类似系统的请联系 联系人，QQ：468170691 华女士，手机13484386351

  3. 所属分类：VB

    • 发布日期：2013-06-02
    • 文件大小：9mb
    • 提供者：lhffly08

  1. LED生产工艺

  2. LED制造流程概述：上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长 中游片、电极制作、切割和测试分选 下游产品的封装：LED制作、封装流程

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2016-01-07
    • 文件大小：304kb
    • 提供者：qq_33659911

  1. LED照明应用技术

  2. LED照明应用技术,patrick mottier 编，王晓刚 翻译； 第一章：LED:原理与挑战 第二章：三族氮化物电致发光二极管的衬底 第三章：Ⅲ族氮化物高亮LED 第四章：二极管工艺设计

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-27
    • 文件大小：20mb
    • 提供者：tq3101955

  1. LED芯片生产工艺流程（详细）.pdf

  2. 从LED芯片的原材料到最终的成品，详细介绍LED芯片生产工艺流程。LED芯片工艺 Al P极 ①i au 发光区 A uBe 1、LED au 芯片基本结构 P-GaP-Mg GalnP-AI 2、工程设备 N-GaP-Si GaAs MOCVD Au (金屬有机物化学氣相沉淀法) AugeNi VPE N极 Ni (气相磊晶) Au 上游成品(外延片) 显影、定影 去腊清洗、库房 去胶清洗 清洗 芯片制作工艺流程 ↓去胶清洗 ↓涂胶 显影、定影 ↓去胶清洗 清洗 ↓客户要求较高的 点测 刀

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2019-08-17
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：zsmls

  1. LED生产工艺,led的制作流程全过程

  2. LED生产工艺,led的制作流程全过程! 1.LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.LED点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：82kb
    • 提供者：weixin_38663415

  1. 简要分析LED芯片制造流程

  2. LED芯片制造流程随着技术的发展，LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造LED芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片(外延片)，外延片所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氬气Ar等惰性气体作为载体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片。然后对毛片进行测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。具体的工艺做法，不作详细的说明。 下面简单介绍一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：117kb
    • 提供者：weixin_38614825

  1. 大功率LED封装常用的5种关键技术和4种结构形式

  2. 　　LED(light-emitting diode)已成为国际新兴战略产业界的竞争热点。在LED产业链中，上游包括衬底材料、外延、芯片设计及制造生产，中游涵盖封装工艺、装备和测试技术，下游为LED显示、照明和灯具等应用产品。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：132kb
    • 提供者：weixin_38614636

  1. 常见LED芯片的特点分析:

  2. 　1：采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。 　　2：通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。 　　3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-27
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38514732

  1. LED芯片衬底材料选择及考虑因素

  2. 衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-27
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38725734

  1. 常用大功率LED芯片制作方法汇总

  2. 要想得到大功率LED器件，就必须制备合适的大功率LED芯片。国际上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下几种：①加大尺寸法。②硅底板倒装法。③陶瓷底板倒装法。④蓝宝石衬底过渡法。⑤AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-28
    • 文件大小：61kb
    • 提供者：weixin_38713061

  1. LED照明中的LED显示屏电源问题解析

  2. LED芯片使用过程中会出现的那些“BUG” 　　1.正向电压降低，暗光 　　A：一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。 　　B：一种是电极与材料为非欧姆接触，主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印，分布位置。 　　另外封装过程中也可能造成正向压降低，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。 正向压降低的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而表现暗点，还有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：weixin_38729022

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制方法

  2. 一、引言      四元系发光二极管一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。目前发光二极管的发展方向主要是高亮度及全彩色 ,GaAlAs、GaAlInP与GaInN是较成熟的半导体发光材料 ,其中GaAlAs是红光二极管的优选材料 ,GaAlInP材料根据Al组分的变化能得到红光（680nm）到绿光 （560nm）的光波 ,以反射射向衬底的光，减少GaAs的吸收，最早的GaAlInP高亮度发光二极管90

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：216kb
    • 提供者：weixin_38599712

  1. LED光源驱动新技术——AC LED

  2. 韩国汉城半导体公司即已发明可以用交流直接驱动使其发光的AC LED，其次是美国 III-N Technology，3N技术开发MOCVD生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3N发明的单芯片交流发光二极管（AC LED） ，建立了全面的专利组合，以保护和改善技术，牢固地确立其专有的立场，是首屈一指的大规模商业化生产的交流发光二极管产品。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：310kb
    • 提供者：weixin_38663029

  1. Si衬底LED芯片制造和封装技术

  2. 引言 　　1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。 　　目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：241kb
    • 提供者：weixin_38730201

  1. LED生产中的光学原位监测

  2. 高产量、高亮度的LED生产极具挑战性。随着高亮度LED的应用范围更进一步地扩大，今后高效率及高成品率的设备将会是市场的主流。比如显示器背光、汽车照明以及普通照明，它们成为化合物半导体技术空前发展的驱动力。LED的崛起是驱动MOCVD设备生长的原动力。现今用MOCVD设备来生产的GaN外延片，主要还是以2″的蓝宝石衬底为主。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38518638

  1. LED照明中的常见LED芯片的特点分析

  2. 一、MB 芯片 　　定义：Metal Bonding （金属粘着）芯片；该芯片属于UEC 的专利产品。 　　特点： 　　1：采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。 　　2：通过金属层来接合（wafer bonding）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。 　　3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3~4 倍），更适应于高驱动电流领域。 　　4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热 　　5: 尺寸可加大、应用于High

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38581455

  1. 显示/光电技术中的LED衬底材料的选用

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　·蓝宝石（Al2O3） 　　·硅 (Si) 　　·碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：158kb
    • 提供者：weixin_38543749
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