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  1. 宽带功率放大器的设计

  2. 摘要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计，频率范围从700 MHz～1．1 GHz。前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配，采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计，并使用ADS对设计的放

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-09-02
    • 文件大小：447kb
    • 提供者：wqs361

  1. 半导体器件物理-施敏

  2. 微电子经典之作！ 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7异质结和纳米结构1.8基本方程和实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-01-06
    • 文件大小：13mb
    • 提供者：andreas_fan

  1. 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  2. 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-13
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：andyouwo

  1. SVF8N60T/F-datasheet

  2. SVF8N60T/F为N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-03-26
    • 文件大小：433kb
    • 提供者：ahaqchenwei

  1. mos功率场效应晶体管

  2. 功率场效应晶体管功率场效应晶体管功率场效应晶体管功率场效应晶体管功率场效应晶体管功率场效应晶体管

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-04-07
    • 文件大小：99kb
    • 提供者：zmx13750015923

  1. uc3845中文资料应用

  2. 双列8脚直插式或14脚贴片塑料封装。是高性能固定频率电流型控制器。它们是专门设计用于脱线工作和直流一直流变换器应用的，为使用者提供了一种低成本、高效率外接元件最少的解决方案。这些集成电路包括振荡器、温度补偿参考源、高增益误差放大器、电流检测比较器及一个适合于驱动MOS功率场效应晶体管(PFET)的理想的高电流图腾柱输出。 芯片还包括一系列保护特性，如具有滞后特性的输入和参考电压欠压锁定保护功能，逐个周期的限流保护，用于测量单个脉冲的锁存器和一个每隔一个振荡周期封闭脉冲输出的触发器——这就使得输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38685793

  1. 场效应管在电路中如何控制电流大小

  2. 场效应管的概念 场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：225kb
    • 提供者：weixin_38711369

  1. MOSFET结构及其工作原理详解

  2. 1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Stat

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：274kb
    • 提供者：weixin_38507208

  1. 使用场效应管的注意事项

  2. 场效应管 场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管使用优势 场效应管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38661650

  1. 场效应管是什么？场效应管工作原理

  2. 场效应管是什么 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 -氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38556737

  1. 电源技术中的分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

  2. mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 　　功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：222kb
    • 提供者：weixin_38546308

  1. MOSFET结构及其工作原理详解

  2. 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,简称功率MOSFET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：254kb
    • 提供者：weixin_38652147

  1. 宽带功率放大器的设计

  2. 为了正确匹配，采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计，并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：196kb
    • 提供者：weixin_38670065

  1. 元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点

  2. 功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，图形符号如图所示。根据导电结构，MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体管称为VMOSFET。 　　(a)N沟道类型：(b)P沟道类型 　　图 功率MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38698943

  1. 模拟技术中的宽带功率放大器的设计

  2. 摘要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计，频率范围从700 MHz～1．1 GHz。前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配，采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计，并使用ADS对设计的放大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：214kb
    • 提供者：weixin_38656364

  1. ST车用大电流功率场效应MOS晶体管实现低导通电阻..

  2. 意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应MOS晶体管，该产品采用ST最新优化的STripFET专利技术，实现了最低的导通电阻。  　　　　STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品，最大导通电阻RDS(on)6.5mΩ，专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS设计的。新产品的典型RDS(on)在5mΩ区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。STD95N04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38733787

  1. 模拟技术中的场效应晶体管介绍

  2. 场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38608866

  1. 电源技术中的ST 20A和30A功率场效应MOS晶体管

  2. 意法半导体（STMicroelectronics） 今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK:registered: 封装的功率IC，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的功率场效应MOS晶体管，占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。 ST和Siliconix公司于2005年3月签订一项使用PolarPAK:registered

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38716460

  1. 电源技术中的功率场效应晶体管MOSFET

  2. 1.概述 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：297kb
    • 提供者：weixin_38670318

  1. MOSFET结构及其工作原理详解

  2. 1.概述 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：272kb
    • 提供者：weixin_38625351
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