n-ZnO / p-NiO异质结的制备方法是：通过射频磁控溅射在c面蓝宝石上沉积p型NiO膜，然后通过等离子体辅助分子束外延在nO膜上生长n型ZnO膜。异质结表现出类似于二极管的整流特性，其开启电压约为3.6 V，并且在施加正向偏压时会发出紫外光。随着注入电流从0.5 mA增加到3.5 mA，UV发射的强度增加，但是UV发射的波长从404 nm减小到387 nm。结果表明，紫外线的发射来自ZnO层中电子和空穴的近带边辐射复合。在本工作中讨论了紫外线电致发光的机理。