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搜索资源列表

  1. s3c2440nandflash代码

  2. NANDFlash NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在： 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对N AN D芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页

  3. 所属分类：嵌入式

  1. STM32 +nand实现U盘 源代码.rar

  2. STM32+K9F1G08大页NAND+SD卡实现U盘 原代码和PDF文档说明 作者：liu_xf

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-01-12
    • 文件大小：616kb
    • 提供者：liu_xf

  1. 大页nand操作教程

  2. 这个教程很好 对你一定很有帮助，所有操作都有了，让你轻松掌握nand的操作

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-13
    • 文件大小：659kb
    • 提供者：armqq3

  1. yaffs2根文件系统的制作.doc

  2. 现在大部分开发板都可以支持yaffs2 文件系统，它是专门针对嵌入式设备，特别是使用nand flash作为存储器的嵌入式设备而创建的一种文件系统，早先的yaffs仅支持小页(512byte/page)的nand flash，使用 yaffs2 就可以支持大页的 nand flash。 所谓的根文件系统，就是创建各个目录，并且在里面创建各种文件，比如在/bin,/sbin/目录下存放各种可执行的程序，在/etc目录下存放配置文件，在/lib目录下存放库文件，下面就开始文件系统的移植。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-12-11
    • 文件大小：289kb
    • 提供者：c8051f330

  1. 基于MTD的2440-大页nand驱动

  2. guolele出品，基于2.6.26内核的MTD大页驱动的编写方法

  3. 所属分类：Linux

    • 发布日期：2011-03-25
    • 文件大小：191kb
    • 提供者：guolele2010

  1. USB大容量存储器学习笔记-STM32 FLASH实现U盘

  2. 内容概述 采用STM32 内部自带 USB 控制器外加大页NAND FLASHK9F1G08U0A 实现一个128M 的U 盘。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-03-10
    • 文件大小：372kb
    • 提供者：a287070695

  1. HY27UF081G2A NAND Flash数据手册

  2. 芯片参数 ： VCC 2.7V-3.3V；8位数据/地址复用总线；存储阵列为 （2K+64）字节*64页*1024块；随机任意读取所需最大时间为25us；顺序读取所需最小时间为30ns；　整存储页完整读取所需典型时间为200us

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-06-26
    • 文件大小：386kb
    • 提供者：zhoufeng104

  1. yaffs根文件的制作

  2. 现在大部分开发板都可以支持yaffs2 文件系统，它是专门针对嵌入式设备，特别是使用nand flash作为存储器的嵌入式设备而创建的一种文件系统，早先的yaffs仅支持小页(512byte/page)的nand flash，使用 yaffs2 就可以支持大页的 nand flash。 所谓的根文件系统，就是创建各个目录，并且在里面创建各种文件，比如在/bin,/sbin/目录下存放各种可执行的程序，在/etc目录下存放配置文件，在/lib目录下存放库文件，下面就开始文件系统的移植

  3. 所属分类：Linux

    • 发布日期：2013-04-22
    • 文件大小：289kb
    • 提供者：azhangyi188

  1. Uboot源码 for arm9

  2. u-boot-1.1.6.tar.bz2 是uboot1.1.6最原始的代码 u-boot-1.1.6_OpenJTAG_nand_large_page.tar.bz2 是修改后的uboot，支持大页nand，usb烧写程序

  3. 所属分类：Linux

    • 发布日期：2013-08-29
    • 文件大小：19mb
    • 提供者：caidong321

  1. 大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

  2. 存储空间是按照块和页的概念来组织的，一个芯片分为1 024个块，每个块有32页，每一页有528 B。528 B中分为512 B的数据区和16个字节的空闲区，空闲区用于存放ECC代码、坏块信息和文件系统相关代码。一个528 B的数据寄存器作为数据缓冲单元，用来实现I/0缓冲和存储器之间的数据传输。芯片的存储阵列组织如图2所示。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2008-10-15
    • 文件大小：359kb
    • 提供者：xxxiun

  1. Cheap_Flash_FS--嵌入式NandFlash文件系统源码(使用极速版代码)下载

  2. Cheap_Flash_FS--嵌入式NandFlash文件系统源码(使用极速版代码)下载 Cheap_Flash_FS 代码已经由我们开发完成，并经过了严格的测试。 坏块管理功能包括基于坏块表的管理程序，可以提供单/多扇区的操作。 多扇区为nandflash专门设计，可以降低NANDFLASH物理擦除数，具有FLASH上直接预分配功能。 其上面可以运行（Cheap_Flash_FS（支持多扇区操作））文件系统。 文件系统可支持实时坏块替换，包括擦除块，块移动，写入页产生坏块。文件系统基于NA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2017-04-24
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：oqqpdsf

  1. yaffs2文件系统镜像制作工具64位

  2. 本人在win10 ubuntu18.0 64位子系统下编译测试，测试内核linux 2.6.31, 交叉编译器也是自己制作的4.4.3的版本，成功挂载文件系统，通过bootloader挂载的. 支持2k+64kb的大页nand flash, 4k 及以上请自行修改参数。由于64位版本的工具网上我找不到，所以就自己做了。分享给大家，以供32位支持不好的系统。（其实win10 linux子系统都不支持32位程序，虽然有方法运行32位程序，但是不是所有程序都适用，比如mkyaffs2image 32

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-07-27
    • 文件大小：18kb
    • 提供者：baidu_21894327

  1. 半导体行业深度分析及投资框架（184页ppt）.pdf

  2. 一、高端手机产业链利润节点仍被国外厂商持有。华为OV智能手机里面最贵的6大核心半导体部件，绝大部分都是进口，缺芯少屏依旧是产业之痛: 1、OLED柔性屏(三星LGD占全球90%以上) 2、SoC主芯片(台积电三星占7nm以下代工的绝大多数) 3、DRAM芯片(三星、Hynix、镁光占绝大多数) 4、NAND芯片(三星、Hynix、东芝占绝大多数) 5、CIS摄像头芯片(Sony、三星 占高端大多数) 6、射频相关(Skyworks、Qorvo、穏懋) 二、国产替代供应链高速崛起。经

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-06-13
    • 文件大小：15mb
    • 提供者：sysclock

  1. 基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现

  2. NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8 MB存储器，页大小常为512 B、块大小为8 kB，块内页面数为16。而2 MB的存储器的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：143kb
    • 提供者：weixin_38680506

  1. 基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现

  2. NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：179kb
    • 提供者：weixin_38672800

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用

  2. 目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到嵌入式系统中。 　　NAND闪存介绍 　　NOR 和NAND是现在市场上两种主要的非易失性闪存技术。NOR比较适合存储程序代码，其容量一般小于16MB;NAND则是高密度数据存储的理想解决方案，其容量可达1GB以上。NAND闪存的存储单元为页和块。一般

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：187kb
    • 提供者：weixin_38723699

  1. 意法半导体（ST）完成NAND闪存产品70nm技术升级

  2. 意法半导体（ST）宣布公司采用70nm 制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512Mb (小页)和1/2/4/8Gb (大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的最先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 　　高密度的存储器芯片为各种计算机和消费电子应用产品提供海量数据存储功能，例如，数码相机、PDA、GPS导航系统、闪存卡和U盘、打印机、机顶盒（STB）、数字电视机、汽车多媒体系统和多媒体手机。 　　该系列全部产品都具有速度极快的数据传输和擦除功能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38678172

  1. EDA/PLD中的一种NAND FLASH自启动的新方法

  2. 1 引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统开发者所面临的重大挑战。NAND FLASH和NORFLASH作为两种主要的非易失性存储器，被应用于各种嵌入式系统。其中NAND FLASH主要优点在于存储密度高、容量大，有更占优势的存储性价比。但是NANDFLASH由于其独特的页式读写方式，并不适合程序的直接执行。因此，从NAND FLASH启动需要片上存储器作为代码执行的中转

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：283kb
    • 提供者：weixin_38697557

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现

  2. 1 NAND FLASH 　　NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8 MB存储器，页大小常为512 B、块大小为8 kB，块内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：151kb
    • 提供者：weixin_38656064

  1. S3C2440 NAND Flash的使用

  2. 基本知识　　NAND flash： 速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口　　NOR flash： 速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没有NAND flash多；接口为RAM接口，可以直接运行程序　　2、注意事项　　2.1：在每次写操作之前需要进行擦除操作　　2.1：使用前扫描坏块，不再使用　　3、容量关系　　1页 = 512 + 16字节　　1块 = 512B *

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38665046
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