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TQ2440开发板nand flash升级为512M的方法
详细的介绍了TQ2440开发板nand flash升级为512M的方法和步骤,讲解了升级时的硬件修改和注意事项以及测试方法。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-03-29
文件大小:632832
提供者:
byxlk
ldd6410 bsp nand and read nand id
ldd6410 bsp nand and read nand id, hope it will help
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-04-06
文件大小:75776
提供者:
gentlexiaowuwang
U-boot中为nand write添加进度提示
U-boot中为nand write添加进度提示
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-04-11
文件大小:35840
提供者:
skykingf
nand flash 读写
关于nand flash读写的一些基本操作
所属分类:
SUN
发布日期:2011-04-12
文件大小:49152
提供者:
xcxc0282
NAND+Flash控制器的设计与验证
NAND+Flash控制器的设计与验证,用于flash的读写操作。
所属分类:
其它
发布日期:2011-04-16
文件大小:5242880
提供者:
wwyy2010
How To Add Nand Flash Driver (CN)
How To Add Nand Flash Driver (CN) How To Add Nand Flash Driver (CN) How To Add Nand Flash Driver (CN)
所属分类:
SUN
发布日期:2011-04-19
文件大小:108544
提供者:
hello_red
nand flash的结构
以信号规范,数据传输规范说明NAND FLASH的结构
所属分类:
其它
发布日期:2011-04-20
文件大小:221184
提供者:
ziduvince
NAND Flash结构与驱动分析
NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Sp
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-04-26
文件大小:44032
提供者:
ouchengguo
NAND FLASH 备份空间算法
三星NAND FLASH备用空间算法.介绍File system怎样把数据备份在闪存的备份区。
所属分类:
其它
发布日期:2011-04-28
文件大小:172032
提供者:
ziduvince
nand flash2.PDF
nand flash2.PDFnand flash2.nandnand flash2.PDF flash2.PDFPDF
所属分类:
其它
发布日期:2011-05-02
文件大小:50176
提供者:
guojiangtao2
NAND-Filesystem-Flyer.pdf
主要讲解了NAND FLASH上的文件系统。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-05-07
文件大小:297984
提供者:
wangqing381107973
NAND FLASH ECC校验原理与实现
介绍了NAND FLASH ECC校验原理,并有c例程
所属分类:
其它
发布日期:2011-05-12
文件大小:129024
提供者:
j1o1y
yaffs2 文件系统分析--基于nand flash
嵌入式存储系统中 在nand flash上建立yaffs2文件系统
所属分类:
其它
发布日期:2011-05-14
文件大小:296960
提供者:
binbin9803
K9GAG08 三星MLC nand flash
K9GAG08,三星MLC nand flash 芯片手册(datasheet)
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-05-17
文件大小:1048576
提供者:
vensondianji
NOR Flash 与NAND Flash 的区别
清晰的描述了NOR Flash与NAND Flash的区别. 如果对这两个有什么疑问的话,你也可以给我留言. 我感觉这个文档讲的很清楚了.
所属分类:
其它
发布日期:2011-05-17
文件大小:53248
提供者:
zsinba
NAND Flash产生坏块原因
由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。
所属分类:
其它
发布日期:2011-05-27
文件大小:21504
提供者:
newind_1981
nand flash 完美解释
一篇介绍nand flash技术参数、组织方式、技术指标等等的好文章!
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-05-31
文件大小:478208
提供者:
raffaellosanzio
nand flash读写程序(实验)
该实验程序完成了land flash的读写测试,包括串口打印输出功能,适用于fl2440,ok2440上的k9f**(2K) nand falsh读写实验代码
所属分类:
其它
发布日期:2011-06-15
文件大小:75776
提供者:
zhongli_csdc
AN1823 Error Correction Code (ECC) in Single-level Cell (SLC) NAND Flash.pdf
AN1823 Error Correction Code (ECC) in Single-level Cell (SLC) NAND Flash.pdf
所属分类:
其它
发布日期:2011-06-15
文件大小:564224
提供者:
zhangchunxi_zcx
nand flash 源程序
nand flash 的读写,查处,坏块检查
所属分类:
C
发布日期:2011-06-16
文件大小:7168
提供者:
xianglin134
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