里面包括linux环境下备份与恢复的大部分技术以及对磁带机的备份操作过程，包括回带，进带、退带，还有linux的所有硬件设备的介绍等

为了获得最佳的电阻转换性能，研究了Nb：SrTiO3（NSTO）的氧空位浓度对Ag / NSTO / Ti结构的电阻转换性能的影响。 为了获得具有不同氧空位浓度的NSTO，在将衬底用于制造Ag / NSTO / Ti结构之前，已在不同的气氛和温度下对衬底进行了退火。 通过测量室温下的IV特性，耐久能力和电阻分布，研究了电阻开关性能。 结果表明，在氧气气氛和真空气氛中的退火均降低了开关性能。 在我们的案例中，在700摄氏度的空气中退火的设备显示出最佳的电阻开关性能。 经过分析，我们建议可以通过改变

分别通过使用脉冲激光沉积技术（PLD）在n型0.5％重量的掺Nb的SrTiO3（NSTO）衬底上分别沉积掺杂不足的La1.9Sr0.1CuO4膜和掺杂过量的La1.8Sr0.2CuO4膜来制造两种类型的pn结。 。 在5 K至300 K的温度范围内测量了La2-xSrxCuO4 / NSTO异质结的电流-电压（IV）特性。所有IV曲线均显示出良好的整流性能，并观察到了扩散势（Vd）的明显降低，但是在低于Tc的温度下，Vd的行为对于掺杂不足和掺杂过量的体系有很大的不同。 分析结果表明，异质结的特性

Au/Nb:SrTiO3/Ti structures were fabricated by depositing Au and Ti electrodes on a single crystal 0.5 wt% Nb:SrTiO3 (NSTO) using rf-magnetron sputtering technique. Resistive switching properties at different temperature were investigated. The Ti/NSTO