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  1. 电子电路学原理动画演示 以flash形式展示原理更易于理解

  2. 主要以flash形式演示了电子电路学的基本原理。包括N沟道增强型MOS管的结构，PN结的单向导电性，PN结的形成，本征激发，二极管开关特性，基本放大电路的放大作用，桥式全波整流电路等，让你对原理的东西一目了然。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-11-15
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：yiooo

  1. 模拟电子技术基础 课件

  2. 模拟电子技术基础知识一至十章的详细课件：半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性，二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等；三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等；FET的结构原理、输出与转移特性等；放大电路的组成原理、信号传输过程和设置合适Q点的必要性等；BJT的h参数等效模型及放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-04-18
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：bluekobe

  1. 电子电路学原理动画演示 以flash形式展示原理更易于理解

  2. 主要以flash形式演示了电子电路学的基本原理。包括N沟道增强型MOS管的结构，PN结的单向导电性，PN结的形成，本征激发，二极管开关特性，基本放大电路的放大作用，桥式全波整流电路等，让你对原理的东西一目了然。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-03-29
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：qq_26975307

  1. PN结的基本原理PPT.pdf

  2. 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：811kb
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 三极管工作原理.pptx

  2. 清晰讲述三极管放大的原理，含内部载流子移动的动态演示过程，清晰理解PN结形成和PN结的作用，提供三极管放大电路相关案例

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2020-03-31
    • 文件大小：458kb
    • 提供者：qq_38118282

  1. pn结的形成原理

  2. P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N 型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故自由电子为多子，空穴为少子。如下图： pn结的形成 当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候，由于P型半导体中空穴浓度高，而N型半导

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：185kb
    • 提供者：weixin_38656462

  1. PN结工作原理相关知识

  2. pn结 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：185kb
    • 提供者：weixin_38704284

  1. 可控硅（晶闸管）原理图及可控硅工作原理分析

  2. 可控硅(晶闸管)原理图 可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。 从可控硅的内部分析工作过程： 可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2 当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38651450

  1. 关于整流堆原理及应用之浅析

  2. 整流二极管一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。整流二极管（rectifier diode）一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38750209

  1. PN结为什么可以单向导电？PN结单向导电原理

  2. 二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。 在二极管的正向端（正极）加正电压，负向端（负极）加负电压，二极管导通，有电流流过二极管。在二极管的正向端（正极）加负电压，负向端（负极）加正电压，二极管截止，没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。 二极管为什么只能单向导电？ 二极管是由PN结组成的，即P型半导体和N型半导体，因此PN结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN结如下图所示： 在P型和N型半导体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：299kb
    • 提供者：weixin_38499349

  1. 模拟电路中PN结原理

  2. 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38665122

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的FPGA的静态功耗分析与降低技术（二）

  2. 3 FPGA结构中基本单元漏电流分析 　　3.1 晶体管的漏电流原理 　　晶体管的漏电流主要包括源漏之间的亚阈值漏电流（Isub）和栅漏电流（Igate），但随着导电沟道的缩短，也带来了其他的漏电流。图5所示为在短沟道下所有的漏电流。 　　I1为pn结的反偏漏电流。 　　I2为源漏之间的亚阈值漏电流。它是在栅压低于阈值电压Vth时，在亚阈值区域有弱的反型而形成的电流。 　　I3为穿过栅氧化层形成的栅电流。它是由于栅氧化层厚度越来越薄，电子穿过栅氧化层产生的电流。 　　I4、I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：156kb
    • 提供者：weixin_38724370

  1. 元器件应用中的什么是肖特基二极管

  2. 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 　　肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38691199

  1. 基础电子中的什么叫单向可控硅（晶闸管）-单向双向可控硅（晶闸管）工作原理

  2. 一、什么叫单向可控硅(晶闸管)-:单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　下为单向可控硅(晶闸管)结构示意及电路符号 　　二、双向晶闸管(可控硅)是什么:双向可控硅具有两个方向轮流导通、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38746574

  1. 基础电子中的单向双向可控硅（晶闸管）结构原理图

  2. 一、单向可控硅（晶闸管）结构原理：单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　单向可控硅结构和电路符号图 　　二、双向可可控硅（晶闸管）结构原理：双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38640443

  1. 基础电子中的pn结的形成-形成PN结的原理

  2. PN结及其形成过程 　　在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。 　　1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动 　　在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子很多而空穴很少，P型区内的空穴而电子很少，这样电子和空穴很多都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些电子要从N型区向P型区扩散， 也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。 　　2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区 　　电子和空穴带有相反的电荷，它们在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：weixin_38673798

  1. 基础电子中的PN结的构成

  2. 把一块半导体硅片或锗片，通过一定的工艺方法，一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会形成一个薄层，这个薄层就是PN结，如图一(a)所示"这个PN结有一个很特别的性能，就是有单方向导电的能力。 　　图一　PN结单向导电原理 　　如果将P型半导体部分连接至电源的正电极，N型半导体部分连接电源的负电极，这种连接称为正向连接，在电子技术中叫做正向偏置。茬正向偏置的条件下，N区电压较P区为负，它将吸引P区的多数载流子(空穴)，使之穿过PN结流向N区;P区电压较N区电压为正，也将吸

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38662367

  1. 三极管的倒置状态及其作用

  2. 1、什么是三极管的倒置状态? 　　集电结正偏，发射结反偏，为倒置状态;集电结正偏，发射结正偏，为饱和状态;集电结反偏，发射结反偏，为倒截止态;集电结反偏，发射结正偏，为放大状态; 　　2、对三极管倒置状态的分析 　　实际上，当NPN型三极管的三个电极电位关系为UE>UB>UC 时，三极管内两个PN结的状态为be结反偏，bc结正偏。这时三极管工作在“倒置”状态。倒置状态的三极管其工作原理与放大状态相似，bc结正偏时，集电区发射电子，一部分自由电子在基区和空穴复合形成基极电流，另一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38604951

  1. 场效应管——分类、结构以及原理

  2. 是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 　　1.结型场效应管 　　(1) 结型场效应管结构 　　N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 　 　　结型场效应管的结构示意图 　　(2) 结型场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：133kb
    • 提供者：weixin_38717169

  1. 三极管倒置状态的解析与应用

  2. 1、什么是三极管的倒置状态？　　集电结正偏，发射结反偏，为倒置状态；集电结正偏，发射结正偏，为饱和状态；集电结反偏，发射结反偏，为倒截止态；集电结反偏，发射结正偏，为放大状态；　　2、对三极管倒置状态的分析　　实际上，当NPN型三极管的三个电极电位关系为UE＞UB＞UC 时，三极管内两个PN结的状态为be结反偏，bc结正偏。这时三极管工作在“倒置”状态。倒置状态的三极管其工作原理与放大状态相似，bc结正偏时，集电区发射电子，一部分自由电子在基区和空穴复合形成基极电流，另一部分电子被反偏的发射结“

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：61kb
    • 提供者：weixin_38635092
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