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  1. PZT铁路专业软件

  2. pzt 交通运输类，可用于初步设计铁路线路，需生成相应参数

  3. 所属分类：交通

    • 发布日期：2013-04-11
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：loveyh1990

  1. 热处理对PZT/PVDF压电复合材料电特性的影响

  2. 热处理对PZT/PVDF压电复合材料电特性的影响，李蕊，刘虎军，本文采用高温热处理PZT 陶瓷粉末，再将其与PVDF制备了PZT/PVDF压电复合材料，研究了高温处理PZT对复合材料的微观结构、表面形貌、压电�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：611328
    • 提供者：weixin_38675967

  1. BiFeO3 修饰的PZT固溶薄膜中增强的铁电和介电性质

  2. BiFeO3 修饰的PZT固溶薄膜中增强的铁电和介电性质，刘红日，刘祖黎，用溶胶－凝胶方法在600 °C 退火的条件下在LaNiO3/SiO2/Si衬底上制备了(PbZr0.5Ti0.5O3)x¬¬-(BiFeO3)1-x固熔薄膜。XRD研究表明薄膜随x的不同呈�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：541696
    • 提供者：weixin_38522214

  1. PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能

  2. PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能，陈月圆，朱慧，为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理，本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：717824
    • 提供者：weixin_38714637

  1. 快速热处理对PZT薄膜的微观形貌以及电学性能的影响

  2. 快速热处理对PZT薄膜的微观形貌以及电学性能的影响，杨帆，杨成韬，利用射频磁控溅射法制备出PZT薄膜，在不同温度下进行快速热处理，之后通过P-E曲线、XRD、AFM分析系统研究了快速热处理工艺对PZT薄膜微

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：343040
    • 提供者：weixin_38592420

  1. 溶胶凝胶（Sol-gel）法制备PZT粉体

  2. 溶胶凝胶（Sol-gel）法制备PZT粉体，伍光，苏海林，采用醋酸铅、硝酸氧锆(硝酸锆) 、钛酸丁酯为原料，通过 Sol-gel法制备了PZT铁电粉体。运用DSC分析PZT粉末的热行为，并应用XRD分析粉末煅�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：949248
    • 提供者：weixin_38554186

  1. PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能研究

  2. PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能研究，刘培祥，孙清池，本文研究了PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能。研究结果表明,Ti含量在0.370和0.374之间变动时，体系位于准同型相界

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：705536
    • 提供者：weixin_38635166

  1. 基于FPGA的开关式PZT动态驱动电源

  2. 基于FPGA的开关式PZT动态驱动电源，余凌，李威，针对压电驱动器的动态应用设计了一种快响应的动态电源。在FPGA内构建PWM发生器，输出推挽方波驱动IGBT全桥功率放大电路。基于IR2213设�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-25
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38678773

  1. 偶联剂对PZT/PVDF压电复合材料电性能的影响

  2. 偶联剂对PZT/PVDF压电复合材料电性能的影响，李蕊，刘虎军，本文采用两种偶联剂对PZT颗粒表面改性处理，制备了不同的0.5PZT/PVDF压电复合材料，通过红外光谱和扫描电镜照片对比了两种偶联剂的处�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：573440
    • 提供者：weixin_38728347

  1. Yb掺杂反铁电PZT电介质材料

  2. Yb掺杂反铁电PZT电介质材料，张晓帅，马卫兵，本文采用传统的固相合成的方法，以反铁电PZT为基体，以Yb为掺杂剂得到了PYZT。对于Yb掺杂微观机理进行了研究，并且系统的测试了体系�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：644096
    • 提供者：weixin_38679045

  1. PZT薄膜的制备方法及其在压电传感器中的应用

  2. PZT薄膜的制备方法及其在压电传感器中的应用，杨凯，傅青云，锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3, PZT]薄膜因其优越的压电、介电、铁电、热电、光电性能以及易与半导体技术兼容等特点，被广泛应用于压电传感器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：635904
    • 提供者：weixin_38581777

  1. 基于压电陶瓷（PZT）的相移同轴数字全息及其再现像质量的提高

  2. 基于压电陶瓷（PZT）的相移同轴数字全息及其再现像质量的提高，李红燕，吕晓旭，同轴无透镜傅里叶全息记录光路能最大程度地满足采样定理和最大程度地利用CCD的空间带宽积，但是存在原始像与零级光场和共轭像重叠

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：611328
    • 提供者：weixin_38560502

  1. PZT压电陶瓷制备工艺及性能研究

  2. PZT压电陶瓷制备工艺及性能研究,一些最基本的研究方法

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2012-12-28
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：jnacm

  1. 基于PZT的振动发电元件结构参数

  2. 基于PZT的振动发电元件结构参数

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2016-03-12
    • 文件大小：595968
    • 提供者：terry00012345

  1. 基于PZT悬臂梁的按压能量采集技术研究

  2. 基于PZT的正压电效应设计了悬臂梁结构的能量采集装置，可用于开关等单次按压能量的采集。对单次按压条件下PZT悬臂梁的响应进行数学分析。通过性能对比，选用P-81材料压电片叠加在铜合金片两侧制作成悬臂梁。经有限元分析，压电片并联时比串联时的输出功率要高，但是固有频率相同，表明压电片的联结形式对其应变没有影响。在单次按压条件下，10 kΩ电阻负载下的仿真和测试结果一致，最大瞬时功率分别为28.93 mW和27.46 mW。结合PZT在低频条件下的高阻抗特性设计了能量采集电路，采用阈值开关电路控制放电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：505856
    • 提供者：weixin_38668225

  1. 基于单片机控制多路PZT的驱动电路设计

  2. 设计了一种基于C8051F005单片机控制多路PZT(压电陶瓷)的驱动电路,采用串行数据传输的方法,利用新型数模转换器AD5308具有8通道DAC输出的特性,极大的简化了电路设计,给出了硬件系统设计和软件流程图以及主要的软件模块设计。本电路主要用于自适应光学合成孔径成像相位实时校正系统中。结果表明,该电路可以成功为12路PZT提供所需的驱动电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38659311

  1. 基于单片机控制多路PZT的驱动电路设计

  2. 本文采用 C51 语言编写了12 路相位数据的D/A 转换控制程序。串行数据传输方式及8 通道AD5308 数模转换器的应用，极大的简化了系统硬件电路，使得软件编程也比较简单， 可满足需要控制多路PZT 实现光纤相位调制的应用。本文作者创新点：利用新型数模转换 器AD5308 具有8 通道的特性，采用数据串行传输方式，在自适应光学合成孔径成像相位实 时校正系统中，分时提供12 路PZT 所需的驱动电压。成功完成相位的实时校正。本项目产生经济效益：500 万元以上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：368640
    • 提供者：weixin_38635449

  1. 单片机与DSP中的基于单片机控制多路PZT的驱动电路设计

  2. 摘要：设计了一种基于C8051F005单片机控制多路PZT(压电陶瓷)的驱动电路,采用串行数据传输的方法,利用新型数模转换器AD5308具有8通道DAC输出的特性,极大的简化了电路设计,给出了硬件系统设计和软件流程图以及主要的软件模块设计。本电路主要用于自适应光学合成孔径成像相位实时校正系统中。结果表明,该电路可以成功为12路PZT提供所需的驱动电压。 　　1 引言 　　在自适应光学合成孔径成像系统中，某个孔径通道的原始信号相位信息因大气、载体振 动等因素引起发生变化时，冗余信息就会将两两通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：264192
    • 提供者：weixin_38733733

  1. 激光热冲击引起PZT压电薄膜铁电性能的变化

  2. 应用高能量单脉冲激光作用在锆钛酸铅(PZT)压电薄膜上,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能产生的影响.发现在激光未烧熔薄膜的能量密度下,经过激光作用后,PZT薄膜的铁电性能发生变化:在外加电压为6 V时,剩余极化强度值Pr从32.699 μC/cm2变到26.316 μC/cm2;矫顽电场保持为38.396 kV/cm不变;疲劳性能变稳定,在循环1.75×109次时Pr衰变率由44.3%变为34.7%.最后讨论分析了产生这种现象的微观机理.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-27
    • 文件大小：183296
    • 提供者：weixin_38623366

  1. 脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

  2. 采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过量10%的两种靶材,并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750 ℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含量对薄膜生长取向的影响。利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌。XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜生长从550 ℃近似c轴取向逐渐过渡到750 ℃近似a轴取向,而在铅过量情况

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：951296
    • 提供者：weixin_38537541
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