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搜索资源列表

  1. Mosfet inside

  2. 近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本 文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展， 下篇着重于降低优值FOM 方面的技术发展。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-16
    • 文件大小：466kb
    • 提供者：simonlin2003

  1. C语言算法速查手册 完整源代码

  2. <> 配书源代码 C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-07-25
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：fosly

  1. Introduction to Real Analysis

  2. Introduction to Real Analysis by William F. Trench

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-12-26
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：csfreebooks

  1. Clocking in Modern VLSI Systems

  2. 1 Introduction and Overview Thucydides Xanthopoulos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.1 The Clock Design Problem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-31
    • 文件大小：12mb
    • 提供者：kermitshen

  1. c语言算法速查手册，实用c语言例程

  2. C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18 2.1.1　[算法1]　复数

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2012-06-01
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：wodecdn

  1. MOSFET教程－－阳岳丰.pdf

  2. MOSFET教程 mosfet结构 trench mos

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-02-20
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：shuimoyanzi

  1. MATLAB高阶累积量工具箱

  2. MATLAB高阶累积量工具箱,包含内容有： Higher-Order Spectrum Estimation: conventional methods % cum2x - Estimates cross-covariance % cum3x - Estimates third-order cross-cumulants % cum4x - Estimates fourth-order cross-cumulants % cumest - Estimates auto-cumulants, o

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2014-01-02
    • 文件大小：101kb
    • 提供者：u013358697

  1. C语言算法速查手册完整代码

  2. <> 配书源代码 C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2014-01-22
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：u010444748

  1. Trench-assisted fiber

  2. A paper described the new technology using the trench-assisted fiber to reduce the crosstalk

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-05-08
    • 文件大小：590kb
    • 提供者：yu_ca

  1. C语言算法速查手册》完整代码

  2. C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18 2.1.1　[算法1]　复数

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2015-09-18
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：zhizuchanglewjw

  1. C语言算法速查手册》完整代码.

  2. C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18 2.1.1　[算法1]　复数

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2015-09-18
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：zhizuchanglewjw

  1. 元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于150至

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38614484

  1. Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器

  2. Vishay在提供同步整流解决方案的低成本替代产品进程中宣布推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时，平面肖特基整流器的高转换速度及低正向压降优势往往会大大折扣。但已获专利的TMBS结构可消除到漂移区的少数载流子注入，从而最大程度地减少存储的电荷，以及提高转换速度。     凭借在 15A及 +125℃时一般为 0.648V 的极低 VF以及出色的转换性能，V30200C 可降低功耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38741891

  1. 电源技术中的Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器

  2. Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS:trade_mark: 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管，或可替代同步整流解决方案，它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。 VTS40100CT 是市场上第一款此类器件，其采用 TO-220AB 封装，额定电流为 40A (2 x 20A)，额定电压为 100V，该器件专门针对 10

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38750721

  1. Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance

  2. Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：596kb
    • 提供者：weixin_38746442

  1. trenchboi：himoresore的Trench Boi V1-源码

  2. trenchboi：himoresore的Trench Boi V1

  3. 所属分类：其它

  1. A novel SOI trench LDMOS with vertical double-RESRUF layer

  2. A novel SOI trench LDMOS with vertical double-RESRUF layer

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：370kb
    • 提供者：weixin_38705873

  1. An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars

  2. An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars

  3. 所属分类：其它

  1. django-trench：django-trench提供了一组REST API端点，以通过多因素身份验证（MFA，2FA）补充django-rest-framework。 它支持标准的内置身份验证方法以及JWT（JSON Web令牌）-源

  2. django-trench：django-trench提供了一组REST API端点，以通过多因素身份验证（MFA，2FA）补充django-rest-framework。 它支持标准的内置身份验证方法以及JWT（JSON Web令牌）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：178kb
    • 提供者：weixin_42112658
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