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搜索资源列表

  1. 减小VDMOSFET反向传输电容的研究.caj

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  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2011-08-03
    • 文件大小：219kb
    • 提供者：ruoyu_0608

  1. A Review on Power MOSFET Device Structures

  2. The paper presents the comprehensive review on the various Power MOSFET structures that have been developed during the past decade. Various structures of Power MOSFET like LDMOS, VDMOS, V-Groove MOS, Trench Gate MOS, FLIMOS, SJ-MOS, and Strained Si

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2018-06-03
    • 文件大小：988kb
    • 提供者：xhwubai

  1. SVF8N60T/F-datasheet

  2. SVF8N60T/F为N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-03-26
    • 文件大小：433kb
    • 提供者：ahaqchenwei

  1. 功率VDMOS器件的参数漂移与失效机理.pdf

  2. 功率VDMOS器件的参数漂移与失效机理pdf,功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣，因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果，着重讨论了功率VDMOS 在高温大电压的工作环境下，关键电学参数的漂移及其失效机理，击穿特性的异常和改善办法，同时对键合及金属化过程中引发的失效也做了简单论述。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：438kb
    • 提供者：weixin_38743506

  1. LTspice_MOS Tool.rar

  2. VDmostool软件是一款LTspice中MOS建模软件。它可以从MOS数据手册创建板级mosfet模型，该模型只能在LTspice中使用。 这是因为它利用了称为VDMOS的新mosfet模型，并且仅在LTspice中可用。 该设备替代了子电路模型，子电路模型通常不起作用，即使可以工作，也会因模拟运行太慢而无法完全使用。 LTspice中的VDmos模型不是子电路，而是使用模型语句的新的内置设备模型。 进行了一些改进，从而使模拟运行更快。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-03-28
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：gaoyong_wang

  1. AP8012H：VIPER12A升级版本，pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 英文版Rev.A.1704.pdf

  2. AP8012H：VIPER12A升级版本，pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 英文版Rev.A.1704.pdf(T-25C, VDD-15 V; unless otherwise specified Boss VDMOS Breakdown Voltage ISw =250uA 750 820 Static Drain-Sourcc off current 550V 100 uA ≤ON Static Drain-Source on Resistance Isw=400m

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：293kb
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究

  2. 高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-05-28
    • 文件大小：259kb
    • 提供者：pangzhipengnum1

  1. VMOS管理结构及输出特性曲线电路图

  2. 根据结构的不同，VMOS管分为两大类:VVMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：15kb
    • 提供者：weixin_38592502

  1. 一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容。在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少栅电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38668274

  1. 一种200V/100A VDMOS 器件开发

  2. 分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法，并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好，栅氧耐压达到本征击穿，阈值电压2.8V，导通电阻仅25m Ω，器件综合性能良好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：417kb
    • 提供者：weixin_38654415

  1. DC／DC电源模块高温失效原因

  2. 在DC／DC电源模块电源结构中主要的元器件有；脉宽调制器(控制转换效率)、光电耦合器(输入与输出隔离，避免前后级干扰，并传递取样信息给PWM，保持输出电压的稳定)、VDMOS(功率转换部件，利用其良好的开关特性提高转换效率)和肖特基二极管(整流以及滤波，是功率输出的主要部件)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：159kb
    • 提供者：weixin_38502693

  1. DC／DC电源模块各方面性能与温度的关系分析

  2. 随着电子技术的高速发展和开关电源应用领域越来越广泛，所工作的环境也越来越恶劣，统计资料表明，电子元器件温度每升高2℃，可靠性下降10%，温升为50℃时的寿命只有温升25℃时的1/6。本文所研究的电源模块是中电集团第四十三所研制的广泛用于军工的一款高性能DC/DC电源模块。与tnterlmint的MHF2815S+相比，具有输出效率高，产生热量少，抗浪涌能力高等优点。 　　在DC/DC电源模块电源结构中主要的元器件有;脉宽调制器(控制转换效率)、光电耦合器(输入与输出隔离，避免前后级干扰，并传

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：138kb
    • 提供者：weixin_38692836

  1. 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性

  2. 本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究，得到较为完整的可靠性数据，并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿，从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：209kb
    • 提供者：weixin_38503233

  1. VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计

  2. 文中通过辐射失效物理和DC／DC转换器电气传输关系分析，建立VDMOS器件辐射损伤敏感参数与DC／DC转换器关键敏感参数之间的辐射损伤关系。依据辐射损伤关系设计预兆单元，在DC／DC转换器发生故障之前发出预警信号，尽快采取措施减小辐射损伤失效带来的损失。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：315kb
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，安全工作区大。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：181kb
    • 提供者：weixin_38582719

  1. 开关电源五种PWM反馈控制模式

  2. 以VDMOS开关器件构成的稳压正激型降压斩波器为例，说明五种PWM反馈控制模式的发展过程、基本工作原理、详细电路原理示意图、波形、特点及应用要点，以利于选择应用及仿真建模研究。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：270kb
    • 提供者：weixin_38599412

  1. 开关电源PWM的五种反馈控制模式

  2. 以VDMOS开关器件构成的稳压正激型降压斩波器为例说明五种PWM反馈控制模式的发展过程、基本工作原理、详细电路原理示意图、波形、特点及应用要点，以利于选择应用及仿真建模研究。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：325kb
    • 提供者：weixin_38651812

  1. 元器件应用中的一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. 0 引 言 　　VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。 　　1 基本原理 　　功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的。VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cg

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：174kb
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 电源技术中的VDMOS器件损伤的DC／DC转换器辐射预兆单元设计

  2. 航天用DC／DC转换器工作在太空辐射环境下，辐射损伤是其主要失效机理。DC／DC转换器的可靠性关系到整个航天器的可靠性，国内外广泛研究了DC／DC转换器辐射损伤失效机理、失效模式和抗辐射筛选与加固措施。随着航天事业发展和大量商用器件用于航天设备，迫切需要寻找新方法来保证DC／DC转换器的可靠性。国外研究人员提出把预兆单元技术用于DC／DC转换器，在不改变DC／DC变转换器拓扑结构前提下，加入监测单元，监测易损器件或DC／DC转换器参数，在DC／DC转换器失效前报警，保证DC／DC转换器的可靠性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：261kb
    • 提供者：weixin_38725623

  1. Total Ionizing Dose Effect and Single Event Burnout of VDMOS with Different Inter Layer Dielectric and Passivation

  2. Total Ionizing Dose Effect and Single Event Burnout of VDMOS with Different Inter Layer Dielectric and Passivation

  3. 所属分类：其它

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