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ST最新16Mb M25PE16串行闪存具备50MHz总线频率
意法半导体(ST)近日宣布M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-Mbit存储器芯片M25PE16,该产品适用于PC BIOS及光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子存储应用。作为ST公司首款子段粒度4KB的串行闪存产品,M25PE16为存取操作提供一个工作频率最高50MHz的兼容SPI的串行总线。 新产品采用一条4线高速串行接口,而没有使用并行存储器接口,这种设计的优点是可以使用更小的封装和更少的引脚,从而节省成本和电路板空间。该存储器分为
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:63488
提供者:
weixin_38558659
华邦电子新推两款8位控制器内建4K/2K闪存
华邦电子(Winbond)自从推出W79E834整合型单片机后,再次推出两款8-位控制器W79E833/W79E832。W79E833/W79E832采用4个时脉执行一条指令周期的华邦8051核心为基础,内建4K/2K闪存,具备高度整合外围功能(如10-位ADC、串口接口、PWM、内部复位等),并整合了众多关键特性,包括有:执行速度快、高抗干扰、稳定等等,适合在要求高性能和小封装的通用嵌入式应用。 该产品设计方案对于要求封装体积小,足够I/O及记忆容量的应用,提供典型的解决方案,此
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:44032
提供者:
weixin_38693192
ST首款90纳米512M NOR闪存出炉,读取速率达133MHz
意法半导体(ST)推出最新一代手机专用NOR闪存子系统。新的多片子系统在一个封装内整合了ST新开发的256Mbit和512Mbit的单片NOR闪存芯片,以及PSRAM(伪静态随机存取存储器)或LPSDRAM(小功率同步动态随机存取存储器)。最新NOR闪存子系统专为第三代手机应用设计,采用90nm工艺,代码执行速度快,价格低廉。 新的闪存子系统采用多片封装(MCP)技术,含有多种芯片组合,包括:512Mbit闪存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit闪存+128
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:51200
提供者:
weixin_38684509
ST 90nm小页面NAND闪存提供较低成本存储方案
意法半导体(ST)宣布,该公司采用90nm制造工艺的小页面NAND闪存系列产品全线上市。ST的128、256和512兆位闪存产品已向90nm先进制造工艺的成功转型,同时还为数码相机、PDA、GPS导航系统、低密度闪存卡、U盘、打印机、机顶盒、数字电视、汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供了节省成本的存储解决方案。 NAND闪存产品的数据传输速度极快,并具有数据可擦除功能。该系列产品的寻址线路和数据输入/输出是通过一条8位总线传输信号,这种多路复用技术不仅可以减少封装引脚的数量,还允许系统
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:61440
提供者:
weixin_38591615
Spansion ORNAND 1Gb闪存首次亮相,下半年推出3Gb产品..
Spansion日前正式发布系列无线解决方案,该方案将90nm MirrorBit ORNAND闪存与其NOR产品系列相集成,从而进入针对移动电话市场的NAND领域。据称,通过采用MirrorBit NOR执行代码和MirrorBit ORNAND存储数据,这些解决方案可以为多种移动电话提供完整的存储子系统,可在无线手持终端上支持具有DVD质量的视频、CD质量的音频和高达500万像素的照片。 MirrorBit ORNAND是Spansion公司日前力推的一种具有突破性意义的架构。作为采
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:80896
提供者:
weixin_38586186
元器件应用中的SST推出支持NAND闪存的控制器
SST日前推出CompactFlash NAND闪存控制器SST55LC100,可用于诸如智能手机采用NAND闪存的海量数据存储产品。 该闪存控制器采用SuperFlash技术,支持最新的NAND闪存,嵌入闪存中可记录固件的变化。传统掩膜控制器需要隐藏变化以加入新的NAND器件,而SST55LC100 NAND闪存控制器可识别CompactFlash总线上的控制、地址和数据信号,并将其转换为NAND闪存中的存储器访问。 该器件适合固态介质存储产品使用,支持单层元(SLC)
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:37888
提供者:
weixin_38628175
华邦电子推出闪存新产品-16Mb/32Mb串口式及16Mb/32Mb/64Mb并口式
16Mb ,32Mb和64Mb并口式闪存其数据读取速度皆可达70ns,16Mb和32Mb主要产品特性为Boot Block及Single Bank,而64Mb除可另外提供快速的分页读取模式(page mode)以加快数据读取速度,也提供Boot Block和Flexible Bank的产品规格。 16Mb和32Mb SpiFlash?串口式闪存提供小空间、系统成本较低的SO8包装。 · 支持双通道(Dual Output) SPI接口,传输速率高达18MB/sec · 提供4K-b
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:59392
提供者:
weixin_38595690
BiTMICRO推出军用等级SCSI固态闪存
在最近伦敦的国防系统及设备国际展会上,BiTMICRO网络推出一款军用等级的E-Disk 3S320,据称这是世界上首款Ultra320 SCSI固态闪存。 E-Disk Ultra320 SCSI可用于恶劣的环境,工作温度在-60℃至95℃之间,可承受1,500G的冲击。这款纯固态/非易失驱动器与操作系统无关,访问时间达42μs,最大为12,500 IOPS,MTBF为200万小时。持续最大R/W为44MBps,最大阵发R/W为320MBps。 E-Disk Ultra320
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:39936
提供者:
weixin_38744803
单片机与DSP中的Atmel推出适用于USB全速外设的AVR闪存微控制器
爱特梅尔公司(Atmel Corporation)现已为其广受欢迎的AVR微控制器系列增添两款新型号,适合于大批量的USB应用,是高性能人机接口器件(Human Interface Device, HID)以至无线适配器的理想选择。 全新的AT90USB82和AT90USB162器件以8位AVR微控制器核为基础,具有全速USB(12Mbits/s)控制器,分别带有8Kb和16Kb的闪存,可以通过USB接口实现系统内编程(in-system programming)。512KB的片
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:99328
提供者:
weixin_38726441
单片机与DSP中的NEC电子推出8款遥控器用闪存微控制器
NEC电子近日推出了8款遥控器用8位闪存微控制器,使全闪存微控制器系列产品扩充至298个品种。 新产品主要用于学习机型遥控器,学习机型遥控器通常已经预先在遥控器的存储器中设置了多个厂商的识别码,用户可以根据所使用的电器产品的生产厂商,选择相应的识别码进行控制,因此一种遥控器可以对应多种厂商的电器产品。NEC电子此次推出的新品种中主要包括“μPD179F114”等5种30引脚的产品和“μPD179F124”等3种38引脚的产品。该系列产品均为集成了闪存的微控制器产品,遥控器厂商使用该系列产
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:83968
提供者:
weixin_38733885
单片机与DSP中的飞思卡尔为单一芯片连接推出基于闪存的32位微控制器产品系列
通过推出两款面向工业控制应用(从远程数据收集和安全增强到家庭自动化和环境监控)的68K/ColdFire:registered:微控制器产品系列,飞思卡尔半导体正在增强自己在32位处理器产品领域的领先优势。 MCF5223x设备系列是业内第一款在单一芯片解决方案中提供一个快速以太网控制器、以太网PHY和闪存存储器的32位微控制器。它也是目前业内以太网联网领域的最小form-factor的解决方案。此外,MCF5223x还包括加密加速单元。这是一种指令级的ColdFire协处理器,可以帮助
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:49152
提供者:
weixin_38638596
NEC推出8款新的32位全闪存微控制器产品,功耗可降低50%
NEC电子日前完成了8款低功耗版32位闪存微控制器的开发,并将其作为全闪存微控制器的第一阶段产品,于即日起开始供应样品。此次推出的系列产品共包括4款V850ES/JG3-L产品和4款V850ES/JF3-L产品,它们均使用了低功耗技术,因此功耗仅为现有产品的一半左右。 通过使用新产品,用户不仅可以用更小的功耗实现比16位微控制器更复杂的控制,而且可降低电池的消耗,轻松实现设备的长时间使用及电池的小型化。新产品的样品价格因存储容量的不同而有所差异,其中集成了256KB闪存的“V850ES/J
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:46080
提供者:
weixin_38750209
意法半导体推出采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存
闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。 NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品,以消费电子产品为目标应用。另两款产品256Mbit和512Mbit的NAND闪存(均有3V 和1.8V两个版本)也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 NAND128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力,该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输,从而降低了芯片的引脚数量,并允许使用一
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:58368
提供者:
weixin_38571878
意法32兆位串口闪存M25PX32采用双输入输出引脚
串口闪存供应商意法半导体(ST)日前发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32——存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品的存储粒度已经很高,但是,由于高速性能得到保证,新的M25PX系列的性能更加良好。 M25PX32改进的性能和技术将会给目标应用带来直接的好处,数字平板电视机和机顶盒是典型的受益者。首先是立即执行(XiP)技术,在数字平板电视机内,XiP技术可以为用户增强互动体验;而机顶盒的开机速度则证明了这项技术的优点
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:70656
提供者:
weixin_38611459
单片机与DSP中的Cyan Tech基于闪存的16位微控制器面向通信应用
Cyan Technology的基于闪存的16位微控制器——COG1m包括了全部外围设备,并可通过外设配置工具进行快速的配置,COG1m采用8mm2、81引脚LFBGA封装。该MCU主频可达25MHz,具有完全可配置的MMU和矢量中断模式,对嵌入式应用可进行实时响应。COG1m适用于节省空间和功耗的场合,电气特性与Cyan的128引脚的eCOG1k等效。 COG1m具有超低功耗特性,待机模式(CPU停止)电流仅为400nA,16kHz持续时钟下电流为10.1μA,适用于便携及手持设备应用
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:46080
提供者:
weixin_38575456
华邦电子推出业界首颗四通道SPI串行闪存器件
华邦电子有限公司日前正式宣布推出业界首颗四通道SPI串行闪存器件。容量为16Mbit的W25Q16 SpiFlash是第一颗属于W25Q系列的产品,这一系列将提供单/双/四通道SPI输入输出格式,使用成本低廉的8引脚封装,容量为8Mbit到64Mbit。 在推出W25Q系列产品之前,串行闪存器件通常用于存储非易失性代码,系统通电后,代码将从闪存器件下载到SDRAM中,这一过程称为代码映射(code-shadowing)。现在,微处理器可以通过使用高性能的四通道SPI读取功能,直接从串
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:66560
提供者:
weixin_38529123
传感技术中的Atmel新款ARM7闪存微控制器密度达64KB
Atmel Corporation日前推出ARM7基础闪存微控制器系列,起价低于3美元。AT91SAM7S32/64是接脚少的智能型ARM7(Smart ARM7)微控制器系列(SAM7S系列)的首批产品,其闪存密度分别为32KB和64KB。 此外,该系列还提供128KB及256KB版本,型号为AT91SAM7S128/256。这些产品整合了全套安全运行功能,其安全运行功能包括由片上(on-chip)RC振荡器计时的监视器、电源监控器以及闪存的硬件保护。由于 AT91SAM7微控制器提供
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:67584
提供者:
weixin_38644688
Spansion发布用于手机的65nm MirrorBit ORNAND闪存解决方案
Spansion发布65nm MirrorBit? ORNAND?解决方案样品,该解决方案针对高端、多媒体手机中的数据存储进行了优化。该样品由Spansion位于得克萨斯州奥斯汀的旗舰工厂Fab25制造。Spansion? 65nm MirrorBit技术为强大的针对无线应用的高容量闪存产品发展蓝图奠定了基础。 65nm MirrorBit ORNAND系列闪存的容量为512Mb、1Gb和2Gb,利用这些闪存,手机OEM厂商将能够在新一代手机中提供丰富的多媒体功能,包括数字电视流、高达50
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:51200
提供者:
weixin_38701640
Spansion与奇梦达签署策略供应协议,为移动客户提供多重芯片封装存储系统
全球最大的闪存解决方案供应商Spansion 公司(NASDAQ:SPSN)与领先的DRAM制造商奇梦达公司今日宣布, 双方已签署策略供应协议。根据协议规定,奇梦达低功耗专用DRAM和Spansion:registered: MirrorBit:registered: NOR和 ORNAND:trade_mark: 闪存将被集成至面向移动设备的多重芯片封装(MCP)存储系统中。除此之外,两家公司计划协调彼此的产品发展蓝图, 特别是针对特定Spansion 闪存的奇梦达PSRAM(Pseudo S
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:61440
提供者:
weixin_38588394
Spansion发布128Mb MirrorBit SPI闪存
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天发布了具有业界最高性能的128Mb SPI(串行外设接口)闪存产品。这一128Mb MirrorBit SPI产品以90nm制程制造,能够帮助制造商利用SPI具有的更低的整体系统成本的优势,同时为更高容量的应用提供所需要的高性能和可靠性。Spansion目前还量产从4Mb到64Mb的SPI产品。 在104MHz下,128Mb MirrorBit SPI产品将串行闪存的性能提升到了一个全新的水平,它能够帮助制造商获得
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:51200
提供者:
weixin_38655011
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