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  1. 瑞萨科技发布世界上速度最快的4千兆位AG-AND型闪存存储器

  2. 目前，瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型闪存存储器，可以提供世界上最快的10 M字节/秒编程速度，用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月，将从日本开始样品发货，随后在12月将开始批量生产。 　　R1FV04G13R和R1FV04G14R分别具有′8和′16位配置，可以提供下面的主要性能。 (1) 世界上最快的4千兆位闪存存储器（芯片） 　　作为实现了多级单元技术*2和高速度的第二阶段AG-A

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    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38654944

  1. RAMTRON 推出2KB铁电存储器微控制器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　F-RAM能够消除Flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及Flash/EEP

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38734506

  1. Ramtron推出业界首个4兆位非易失性FRAM存储器

  2. 非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38700430

  1. Ramtron最新FRAM存储器具备4Mb容量

  2. 非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多

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    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38592134

  1. RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramtron战略市场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38722348

  1. FPGA助力高端存储器接口设计

  2. 高性能系统设计师在满足关键时序余量的同时要力争获得更高性能，而存储器接口设计则是一项艰巨挑战。双倍数据速率SDRAM和4倍数据速率SDRAM都采用源同步接口来把数据和时钟(或选通脉冲)由发射器传送到接收器。接收器接口内部利用时钟来锁存数据，此举可消除接口控制问题(例如在存储器和FPGA间的信号传递时间)，但也为设计师带来了必须解决的新挑战。 　　关键问题之一就是如何满足各种读取数据捕捉需求以实现高速接口。随着数据有效窗越来越小，该问题也益发重要；同时，更具挑战性的问题是，如何

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38721119

  1. 低功耗SoC存储器设计选择

  2. 当今的设计师面对无数的挑战：一方面他们必须满足高技术产品不断扩展的特性需求，另一方面却不得不受到无线和电池装置的电源限制。没有任何技术在这方面的要求比SoC的设计更为明显，在这种设计中，高级工艺比从前复杂的多。然而，上述技术造成了新的电源问题。现代SoC系统的关键之一就是：嵌入存储器在芯片中的比例在不断增长。当存储器开始主导SoC时，应用节能技术使存储器获得系统电源变得十分重要。　　重要问题之一就是：在系统结构方面，是嵌入系统存储器还是把存储器放在SoC之外。在以前的技术中，电源不是要考虑的一个

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38543460

  1. 闪速存储器AT29C010A及其应用

  2. 摘 要：文章以AT29C010A为例，介绍了ATMEL 29系列大容量闪速存储器的结构、特点、性能及使用方法，结合实际应用详细说明了AT29C010A在工业智能检测仪器中的硬件接口和软件编程注意事项。 　　关键词：闪速存储器；接口；AT29C010A；数据保护 引言 　　FLASH存储器是一种电擦除与再编程的快速存储器，又称为闪速存储器。它可以分为两大类：并行FLASH和串行FLASH。串行产品能节约空间和成本，但存储量小，又由于是串行通信，所以速度较慢，开发编程较复杂；并行产品具有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38689223

  1. Ramtron 推出4兆位非易失性FRAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。 　　 FM22L16

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38539053

  1. Agilent提供深存储器的示波器

  2. Agilent公司今天发布适用于 Infiniium 54830系列数字存储和混合信号示波器的新存储器选件，从而使该系列成为具有业内最深存储器深度的示波器。这一新选件把Agilent专利MegaZoom技术与达128Mpts的存储器深度融于一体，实现对复杂信号的快捕获和立即响应，仪器的使用也极为方便。该选件并提供过去难以企及的先进测量性能，以帮助计算机、通信和国防领域的研发工程师加速新产品的开发。 　 　　Agilent设计验证部副总裁兼总经理Ron Nersesian说：“这些具有业内最深存储

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38631599

  1. Agilent Versatest V4000提供高性能存储器测试功能

  2. 安捷伦科技近期推出适用于存储器和逻辑器件测试的Agilent Versatest V4000系统。该新品提供了100MHz的性能和独立的64条I/O通道，保证其应用程序全面兼容所有Versatest系列产品。适用于包括手机、PDA和MP3播放器中使用的闪存、DRAM、SRAM、嵌入式内存和纯逻辑模块在内的各种应用。www.agilent.com   

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38743054

  1. Matrix开发出世界上最小的1Gb存储器

  2. 多层反熔丝一次性可编程ROM供应商Matrix Semiconductor公司日前宣布，已经研制出世界上最小的1Gb存储器。 　　这款存储器裸片面积为31平方毫米，融合了据Matrix称延伸其三维半导体设计领导地位的两种技术，即所谓的“混合缩放(hybrid scaling)”及分段字线(segmented wordline)结构。通过采用这两种技术，Matrix能够在相同面积的硅片上实现双倍的位容量。 　　其中，混合缩放技术就本质上而言，是可以选择缩放部分存储器设计，而不缩放其它部

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38683895

  1. RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramtron战略市场拓展经理

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38569109

  1. 电源技术中的fimicro将Ramtron的4Mb F-RAM存储器用于智能I/O模块设计中

  2. F-RAM和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容单板计算机 (SBC) 和智能 I/O 扩展模块中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存储器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太网和 USB 板的设计中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，

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    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38729438

  1. Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器

  2. Ramtron宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。 　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中，使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路面状况。F-RAM的No Delay(无延迟)写入、几乎无限次的读写以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38709816

  1. Ramtron 推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。 　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38747978

  1. 3V、4Kb F-RAM存储器（Ramtron）

  2. Ramtron International CORPORATION宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。 　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中，使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路

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    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38615783

  1. 介绍嵌入式应用中存储器类型的选择技巧

  2. 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能，因此存储器的选择是一个非常重要的决策。 　　无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的(存储代码、数据或者两者兼有)。另外，在选择过程中,存储器的尺寸和成本也是需要考虑的重要因素。对于较小的系统，微控制器自带的存储器就有可能满足系统要求，而较大的系统可能要求增加外部存储器。为嵌入式系统选择存储器类型时，需要考虑一些设计参数，包括微控制器的选择、电压范围、电池寿命、读写速度、存储器尺寸、存储器的

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    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：256000
    • 提供者：weixin_38557530

  1. 单片机与DSP中的PIC系列单片机数据存储器的特点和功能（下）

  2. A/D转换寄存器　这里摘录一段笔者从网上下载的用PIC16F877单片机芯片(带Flash存储器的)完成有关A/D转换的源程序部分指令，并用它说明有关A/D转换寄存器在指令中的用法。这里先引用部分源程序，源程序中的注释是笔者按照指令在程序中的作用所加的注释(不是某条指令的直接功能)，这是初学者读以下指令时应注意的。A/D转换器部分源程序清单如下：DEMO　877ASMList　P=16F877org 　　0x00　　　 ；复位向量NOP　　　　　　　 ；空操作Start Banksel POR

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    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38628612

  1. 单片机与DSP中的PIC系列单片机数据存储器的特点和功能（中）

  2. 学习PIC单片机数据存储器时，不仅要了解各寄存器单元的功能，而且还应在编制程序时会调用它们完成编程目的。下面笔者将以编程实例说明它们的用途。　　2间接寻址寄存器INDF和FSR　位于PIC单片机数据存储器的最顶端、地址00单元（地址码最小）的间接寻址寄存器INDF是一个空的寄存器。它只有地址码，在物理上不是一个真正的寄存器。它的功能常常与寄存器FSR（又称寄存器选择寄存器）配合工作，实现间接寻址目的。初学专用寄存器INDF和FSR时，记住下述的逻辑关系对编程是有帮助的：使用寄存器INDF的任何

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38672812
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