设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料，采用在基区和集电区之间插入n+ InGaP插入层结构，已解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延（GSMBE）技术，通过优化生长条件，获得了高质量外延材料，成功地生长出带有n+ InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺，研制出发射极面积为100um×100um的新型结构InGaP/GaAs/InGaP