通过在350摄氏度至900摄氏度下从1-8 nm厚的Co1-xNix(x = 0、0.25、0.5、0.75和1)开始形成超薄硅化物膜。对于每种成分x,在以上均存在临界厚度从单硅化物CoSi和NiSi到类似二硅化物的相的转变温度随膜厚的增加而增加。 低于该厚度,似乎在透射电子显微镜和拉曼光谱的检测分辨率极限内未显示单硅化物的情况下形成二硅化物相。 拉曼光谱分析似乎表明,尽管CoSi和NiSi具有不同的晶体结构,但Ni可以溶解到一定比例的CoSi晶格中。 此外,发现通过掺入Co可以增强NiSi 2