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  1. 电源技术中的准谐振反激的原理、应用及参数计算

  2. 如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。 　　准谐振 QR 　　Q(Quasi) 　　R( resonant) 　　主要是降低mosfet的开关损耗，而m

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38618521

  1. 准谐振反激控制IC—UCC28600芯片简介

  2. 1．主要特点 　　新一代节能的AC／DC电源控制系统必须采用绿色模式的准谐振式工作，以减少EMI（电磁于扰）、提高效率、降低待机损耗。TI公司的UCC28600以一种特色技术解决上述要求，UCC28600主要特点如下： 　　（l）极低待机功耗（<l50mW），符合欧洲新的绿色能源标准。 　　（2）准谐振式工作，降低EMI，降低开关损耗。 　　（3）极低起动电流，最大仅25 μA。 　　（4）可调过电压保护，包括输入线路过电压及输出过电压。 　　（5）芯片内部过热倮护，降温到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38571544

  1. 基础电子中的解析准谐振反激的原理及设计应用

  2. 如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。 　　准谐振 QR 　　Q(Quasi) 　　R( resonant) 　　主要是降低mosfet的开关损耗，而m

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 汽车电子中的汽车准谐振反激控制IC—A4401简介

  2. 描述 　　该设备使用最少量的外部元件，便能提供所有必要的控制功能，以提供驱动真空荧光显示 (VFD) 的功率轨。电源供应基于准共振间断反激转换器，该设备可在临界传导边界附近工作。采用新型的自适应开启控制模式优化 MOSFET 的开启和关闭阶段，以减少 EMI 放射，同时最大限度地减少开关损耗。 　　该转换器为自振荡型，其工作的开关频率取决于输入电压、负载和外部元件。直接通过电池供电的板载线性稳压器提供辅助电源，从而无需使用复杂的偏压电源。 　　内部诊断提供全面的过载、输入欠压及过温保护。

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    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38575456

  1. 电源技术中的限流器用多输出隔离电源负载谐振模式研究

  2. 摘要：介绍了一种适用于固态限流器的多输出高压隔离谐振式电源，给出了主电路拓扑结构，分析了其工作原理，并用PSpice对其进行了仿真验证，最后给出了实验结果。 理论分析和实验结果证明，负载谐振模式使负载电流波形接近正弦波，从而使变压器能量传输效率提高了3%，并减小了电磁干扰。 　　1. 引言 　　固态短路限流器应用于电压等级较高的电网(大于10kv)时,需要多只高耐压晶闸管串联使用,因此其主电路是一个典型的需要多路输出驱动电源的高压大功率装置, 并且各路输出之间要求有高压隔离。 高压隔离电源采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：237568
    • 提供者：weixin_38742647

  1. 电源技术中的零电压开关全桥转换器设计降低元器件电压应力

  2. 很多电源管理应用文章都介绍过采用 ZVS(零电压开关)技术实现无损转换的优势。为了实现 ZVT(零电压转换)，漏－源电容与FET的体二极管等寄生电路元件被用于实现谐振转换，而不是任由其在缓冲电路中耗散。谐振电路在启动前对开关器件施加的电压为零，这就避免了每次转换时因开关电流与电压同时叠加而造成的功率损耗。 　　图 1  几个开关周期时序图 　　图 2  t0 阶段初始条件 　　图3  t1 阶段右支路谐振转换间隔 　　图 4 t2 阶段箝位续流间隔

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38735899

  1. 电源技术中的如何设计更高效、更低EMI的准谐振适配器

  2. 准方波谐振转换器也称准谐振(QR)转换器，广泛用于电源适配器。准方波谐振的关键特征是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在漏极至源极电压(VDS)达到其最低值时导通，从而减小开关损耗及改善电磁干扰(EMI)信号。 　　准谐振转换器采用不连续导电模式(DCM)工作时，VDS必须从输入电压(Vin)与反射电压(Vreflect)之和降低到Vin。变压器初级电感(Lp)与节点电容(Clump，即环绕MOSFET漏极节点的所有电容组合值，包括MOSFET电容和变压器寄生电容等)构成谐振网络，L

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    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38678521

  1. 电源技术中的利用谷值电压开关和多工作模式提高AC/DC转换器效率

  2. 当前在AC/DC应用中，电源转换效率和节能性能的提高变得越来越重要，满负载效率在AC/DC电源设计中一直是一项主要考虑因素。现在我们最关心的是，如何在轻负载和空负载时实现更好的节能性能，因为越来越多的电源适配器在待机模式下由电网进行供电。由于在全球此类适配器的数量增长迅速，因此大家正在开发新的节能标准。 　　这些新标准概括了对电源的要求，以在不同的工作模式下进行更好的能源利用。为了符合这些新的节能要求，准谐振控制和谷值电压开关(Valley-Voltage Switching)等技术，以及包括

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    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：290816
    • 提供者：weixin_38500090

  1. 基础电子中的内部过电压是怎样产生的应该怎样防止

  2. 内部过电压一般分为操作过电压、弧光接地过电压和谐振过电压。这些过电压与系统运行电压直接有关，一般以额定相电压的倍数来表示，它通常是在电力系统操作或事故时产生的。内部过电压幅值较高，若未采取有效的限制措施，将破坏电力设备的绝缘，从而造成事故。 　　电网中由于开关操作引起系统参数变化的电磁振荡暂态过程，是产生操作过电压的基本原因。这类过电压时间短、幅值高，是考虑绝缘配合的主要因素。操作过电压与系统接线、中性点接地方式、开关性能有着密切的关系。用开关切除空载长线，相当于切除电容负荷；用开关切除空载变

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38516040

  1. 元器件应用中的机械式谐振器与RC振荡器的区别介绍

  2. 晶振与陶瓷谐振槽路(机械式)的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。相对而言，RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。图1所示的电路能产生可靠的时钟信号，但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至

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    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38651273

  1. 基础电子中的RLC串联电路的谐振实验注意事项

  2. 1．应在谐振频率附近多选择几个频率测试点。在变换测试频率时，应调整信号源的输出幅度不变（用示波器监视输出幅度），使其维持在4VP-P　　2．在测量电容电压UC和电感电压UL之前，应将毫伏表的量程加大。而且在测量UL和UC时，毫伏表的正极（即“＋”极）应接在C与L之间的公共点上，其接地端应分别触及L和C的近地点N2和N1。　　3，实验中，信号源的外壳应与毫伏表的外壳绝缘（不共地），如果能用漫搀式交流毫伏表测量，则效果更佳。  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：29696
    • 提供者：weixin_38653602

  1. 基础电子中的RLC串联电路的谐振实验原理

  2. 1．RLC串联电路的阻抗是电源频率的函数，在图1所示的RLC串联电路中，当正弦交流信号源的频率f改变时，电路中的感抗、容抗随之而变，电路中的电流也随f而变。取电阻R两端的电压UO作为响应，当输入电压Ui的幅值维持不变时，在不同频率的信号激励下，测出U0之值。然后以f为横坐标，以U0/Ui为纵坐标(因为Ui不变，故也可直接以UO为纵坐标），绘出光滑的曲线，即为幅频特性曲线，亦称为谐振曲线，如图２所示。                             图1  RLC串联电路示意图     

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    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38663973

  1. 基础电子中的多谐振转换器

  2. 在ＱＲＣ电路中，谐振参数只有两个，即谐振电感和谐振电容，实现串联谐振或并联谐振，运行时只有一种谐振频率。也可以像串／并联谐振桥式转换器一样，准谐振转换器中也可以用两个以上的谐振元件，实现多个谐振频率的准谐振转换器，称为多谐振转换器（Ｍｕｌｔｉ－Ｒｅｓｏｎａｎｔ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ，ＭＲＣ）。它利用变压器漏感，开关管的结电容和二极管结电容作为谐振元件，和主开关适当结合，组成多谐振开关。如果用多谐振开关代替某一个ＰＷＭ开关转换器中的ＰＷＭ开关，就可以得到相应电路的多谐振转换器，这种转换器也有零电流开

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    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38622983

  1. 基础电子中的ZCV/ZVS准谐振转换器

  2. 图１（ａ）、（ｂ）分别表示Ｂｕｃｋ　ＺＣＳ和ＺＶＳ半波准谐振转换器（Ｑｕａｓｉ－Ｒｅｓｏｎａｎｔ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ），点画线框内的子电路称为ＺＣＳ／ＺＶＳ谐振开关，是在开关管上附加谐振网络构成的，利用局部谐振实现ＺＣＳ或ＺＶＳ。谐振电路中的电感Ｌｒ包括电路中可能有的杂散电感和变压器漏感，谐振电容Ｃｒ包括开关管中的结电容。 　　图１（ａ）中，当开关管Ｖ导通时，ＬｒＣｒ谐振，开关管的电流按准正弦规律变化，但需注意的是，这时的谐振频率并不一定等于开关频率。当电流谐振到零时，令开关管Ｖ关断，谐振停止

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38701340

  1. 基础电子中的串联谐振转换器和并联谐振转换器

  2. 串联谐振转换器（Ｓｅｒｉｅｓ　Ｒｅｓｏｎａｎｔ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ，ＳＲＣ）和并联谐振转换器（Ｐａｒａｌｌｅｌ　ＲｅｓoｎｔＣｏｎｖｅｒｔｅｒ，ＰＲＣ）是最早出现的软开关转换器，主要应用于桥式电路中。 　　图（ａ）、（ｂ）分别表示串联谐振转换器和并联谐振全桥式转换器的主电路。串联谐振电路中的谐振电感Ｌｒ和谐振电容Ｃｒ与输出变压器的初级绕组串联，接在全桥开关逆变器两桥臂的中点即输出端。并联谐振电路中的谐振电感Ｌｒ和谐振电容Ｃｒ串联后接在全桥开关逆变器两桥臂的中点输出端，谐振电容Ｃｒ与输出变压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38719540

  1. 基础电子中的零电流开关和零电压开关

  2. ＺＣＳ　ＰＷＭ（或ＺＶＳ－ＰＷＭ）转换器技术，是ＰＷＭ开关转换技术和ＺＣＳ（或ＺＶＳ）准谐振转换技术的综合，谐振转换器是最早出现的一种软开关转换器。准谐振开关是在ＰＷＭ开关上附加谐振网络，利用局部谐振实现ＺＣＳ或ＺＶＳ。 　　下面介绍ＺＣＳ和ＺＶＳ的基本概念。 　　图１为ＺＣＳ和ＺＶＳ谐振开关的示意图。图中Ｌｒ为谐振电感（包括电路中的杂散电感和变压器漏感），Ｃｒ为谐振电容（包括开关管的结电容）。ＺＣＳ谐振开关和ＺＶＳ谐振开关之间有－定的对偶规律，见表1。 　　由图１（ａ）可知，在ＺＣＳ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：164864
    • 提供者：weixin_38609693

  1. 单片机与DSP中的设计一个并联谐振陷波器

  2. 要求 设计一个并联调谐电路，其3dB带宽是500 Hz，中心频率为7500Hz。信号源阻抗为零，负载阻抗是1kΩ。求在2500 Hz处相对衰减至少为30dB所需要的最小电感Q值。 　　电路结果如图1所示。 　　图1衰减和QL/Qbr的关系         图2 例6.4中的并联陷波器 　　②在fo处衰减30dB时，所要求的比值QL/Qbr可由图2或式（6.22）决定，近似为30。所以，电感Q值应当超过30倍的Qbr即450，其中Qb=fo/BW3dB。 　　通常希望带阻网络

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    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38580959

  1. 电源技术中的安森美面向高能效开关式电源推出谐振模式控制器

  2. 安森美半导体（ON Semiconductor）推出一款内置高电压端与低电压端MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器NCP1396，这款器件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计，包括平板显示设备电源转换、高功率密度交直流电源适配器、工业用电源以及游戏机等。  　　NCP1396的独特架构包括一个500 kHz的压控振荡器，由于在谐振电路结构中避开谐振尖峰相当重要，因此为了将转换器安排在正确的工作区，NCP1396内置了可调整且精确的最低开关频率，通过专有高电压技术支持，这款控制器应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 电源技术中的安森美高性能谐振模式控制器NCP1396为多种应用带来高能效电源设计

  2. 高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出一款内置高电压端与低电压端MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器NCP1396，这款器件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计，包括平板显示设备电源转换、高功率密度交直流电源适配器、工业用电源以及游戏机等。  　　NCP1396的独特架构包括一个500kHz的压控振荡器，由于在谐振电路结构中避开谐振尖峰相当重要，因此为了将转换器安排在正确的工作区，NCP1396内置了可调整且精确的最低开关频率，通过专有高电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38715772

  1. 工业电子中的安森美,推出谐振模式控制器

  2. 安森美半导体（Onsemi）推出一款内置高电压端与低电压端MOSFET驱动电路的高性能谐振模式控制器　　NCP1396，这款器件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计，包括平板显示设备电源转换、高功率密度交直流电源适配器、工业用电源以及游戏机等。  　　NCP1396的独特架构包括一个500 kHz的压控振荡器，由于在谐振电路结构中避开谐振尖峰相当重要，因此为了将转换器安排在正确的工作区，NCP1396内置了可调整且精确的最低开关频率，通过专有高电压技术支持，这款控制器应用在能够接受高达6

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38653602
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