我们报告了具有高内部量子效率的InGaN / GaN多量子阱(MQW)纳米棒阵列的光致发光特性。 通过在c面蓝宝石衬底上进行有机金属化学气相沉积来生长InGaN / GaN MQW,然后通过电感耦合等离子体刻蚀和自组装Ni纳米颗粒掩模的低损伤刻蚀技术制造MQW纳米棒阵列。 纳米棒的典型直径为200nm至300nm,长度约为800nm,几乎没有位错。 与室温下的MQW结构相比,MQW纳米棒阵列在室温下的总集成光致发光强度提高了3.1倍。 根据与温度有关的光致发光测量,纳米棒结构的内部量子效率为59