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搜索资源列表

  1. Nand Flash操作及其编程实现

  2. 本资料详细介绍了Nand Flash的工作原理，常见操作（读写，擦除，ECC校验）等及其源代码。由于一般嵌入式书籍很少介绍Nand Flash开发，而Nand Flash的datasheet又令开发新手感到费解，故本资料对于Nand Flash的嵌入式开发很有价值。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-08-12
    • 文件大小：2048
    • 提供者：jimsmart

  1. MSP430驱动NAND FLASH

  2. 包括基于页的读写，基于块的擦除。简洁，明了，函数化。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-09-19
    • 文件大小：39936
    • 提供者：zzc_19850622

  1. ARM9 2410移植之Nand flash 驱动的编写与移植.pdf

  2. 1 Nand flash 工作原理 .......................................................................................................................... 2 1.1 Nand flash 芯片工作原理 ....................................................................................

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-02-02
    • 文件大小：89088
    • 提供者：cs_21cn

  1. 基于CC2530读写M25p80的代码,SPI接口

  2. 本人辛苦所写,免费上供大家学习.效果好记得评论哦 还有大家要记得:flash写入数据前必须擦除相应的块

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-05-09
    • 文件大小：3072
    • 提供者：liaojiededepan

  1. FLASH的选择 SST29LE010

  2. FLASH的选择，主要考虑以下几个方面的因素。 1. 可靠性。闪速存储器的可擦除编程次数和数据的保存时间是选购的重要标准之一。一般选择可重复擦写的次数在10万次以上，保存时间在100 年以上的芯片。 2. 容量。根据系统的要求，选择合适的大小。容量和价格成正比，容量越大，价格越高。 3. 读写时间。读写时间是关键性指标。一般选择和DSP能达到最佳配合的芯片。读写速度和价格成正比，读写速度越快，价格越高。 4. 写周期和擦除周期功耗。 5. 和DSP芯片的兼容性。包括速度、电压、时钟以及硬件连接

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-06-24
    • 文件大小：616448
    • 提供者：llw1984

  1. 基于flash的MP3播放器的源程序

  2. 基于flash的MP3播放器的源程序，包含了对flash的擦除，读写等等。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-08-30
    • 文件大小：59392
    • 提供者：ylbeins

  1. MCS08DZ60参考手册（中文）.pdf

  2. MC9S08DZ60系列产品的特性 8位HCS08中央处理单元（CPU）  40MHz HCS08CPU（20MHz总线）  HC08指令子集，增加了BGND指令  支持高达32个中断/复位源 片上存储器  闪存在全部操作电压和温度范围内可读/写/擦除 ——MC9S08DZ60 = 60K ——MC9S08DZ48 = 48K ——MC9S08DZ32 = 32K ——MC9S08DZ16 = 16K  高达2KEEPROM在线可编程存储器；8字节的单页或4字节的双页段擦除；在Fla

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-12-28
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：chenlong20037718

  1. 单片机课程设计 FLASH存储器扩展

  2. 编写实验程序对 FLASH ROM 进行操作，要求对 FLASH 的读/写、 数据保护功能、芯片擦除等特性进行验证。带保护写入 0～127 共 128 个数，不带保护写入 0x55 共 128 个。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2011-03-03
    • 文件大小：104448
    • 提供者：loveenhua

  1. XC167CI flash驱动代码

  2. flash 的读函数，写函数，擦除函数的代码

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-04-12
    • 文件大小：27648
    • 提供者：hanyu0

  1. SC9RS08MZ8数据手册

  2. SC9RS08MZ8数据手册 存储器 • 闪存在全部操作电压和温度范围内可读/ 写/ 擦除 • RAM • 使用硬件电路来防止对RAM和Flash存储器的数据 的非法访问 省电模式 • 停止模式 • 使用实时中断（RTI）或ACMP 电源保护模式唤醒 时钟源选项 • 晶振（XOSC） -- 循环控制晶振，工作范围 31.25KHz-39.0625KHz 或1MHz-5MHz • ICS--带锁频环（FLL）的内时钟源模块（ICS） 由内部或外部电路控制。精密微调的内部参考可达 到0.2% 的精

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-04-18
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：hefenglulu

  1. 基于MSP430的flash擦除读写操作代码

  2. 基于MSP430的flash擦除读写操作代码 对AT45DB161D的整扇擦除，对单独页得擦除 写主存 写缓冲区 读主存 读缓冲区

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-05-13
    • 文件大小：43008
    • 提供者：yongli_forever

  1. F500 Flash操作代码

  2. F500 Flash操作代码 源代码 包含各个功能函数，如擦除，读，写，等，含详细、全面

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-06-29
    • 文件大小：8192
    • 提供者：felix_shh

  1. 实现基于 FPGA 的 SPI Flash 控制器设计

  2. 本 文 介 绍 了 现 场 可 编 程 阵 列 FPGA(Field Programmable Gate Array) 在 SPI(serial peripheral interface 串 行 外 围 设 备 接 口 )Flash 芯 片 测 试 系 统 中 的 应 用 。 由 于 芯 片 本 身 功 能 指 令 较 多 ,使 得 对 芯 片 进 行 直 接 操 作 变 得 非 常 困 难 ,而 利 用 FPGA 来 对 SPIFlash 进 行 控 制 ,就 能 非 常 方 便 地 对 其

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-16
    • 文件大小：261120
    • 提供者：danny_110

  1. AVR flash读写

  2. 在C语言中读写flash /*擦除(code=0x03)和写入(code=0x05)一个Flash页*/ void boot_page_ew(long p_address,char code) { asm("mov r30,r16\n" "mov r31,r17\n" "out 0x3b,r18\n"); /*将页地址放入Z寄存器和RAMPZ的Bit0中*/ SPMCSR=code; /*寄存器SPMCSR中为操作码*/ asm("spm\n"); /*对指定Flash页进行操作 */ }

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2012-03-31
    • 文件大小：2048
    • 提供者：hdyangqy

  1. LPC1768 SSP 驱动 FLASH 驱动

  2. LPC1768 SSP驱动，用于连接SPI FALSH, 驱动封装了FLASH的读写函数，写的时候能够自动判断是否需要擦除

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-04-26
    • 文件大小：6144
    • 提供者：paladin_qin

  1. NAND FLASH的擦除、读写测试程序

  2. NAND FLASH的擦除、读写测试程序

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2008-09-25
    • 文件大小：2048
    • 提供者：zhiwub

  1. fpga flash control verilog

  2. flash:AM29LV320 verilog 仅按字节读写和片擦除操作

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-02-25
    • 文件大小：777216
    • 提供者：yoeksome

  1. 如何编写linux下nand flash驱动

  2. 【Nand flash的特点】 Nand flash的操作，和其他一些常见的设备，如硬盘等，不同，其有自己特殊的方式。 其特殊就在于： 1.Nand flash的最小单位是页page，而不是其他很多设备所说的位bit。 2.写入数据之前必须先进行擦除erase操作 3.写的时候，最小单位是页page，对也进行写操作，也称作“页编程”，page programming 4.擦除的最小单位是块block 5.由于物理特性，容易出错，所以无论是读还是写，都要采取检测和校验，即EDC。 6.nand

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2008-10-15
    • 文件大小：484352
    • 提供者：xxxiun

  1. NAND flash组成结构及驱动解读

  2. NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Sp

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2008-10-15
    • 文件大小：33792
    • 提供者：xxxiun

  1. SST25VF016B的FLASH的SPI通信

  2. 根据野火及网络资源参考，编写的FLASH存储及读写。 需要注意： 1：在擦除区域时，是按照块擦除的，即每次4k。 2：在写时，若要断电存储，最好预留一部分作为存储存储信息，用来上电后读取。 3：硬件接口需要根据自己的硬件修改，如PA4、PE6。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2014-05-28
    • 文件大小：243712
    • 提供者：q307113682
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