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  1. 开槽波导3次谐波回旋行波放大管非线性理论与数值模拟

  2. 本文讨论了开槽圆柱波导的高频场分布,给出了注波互作用自洽非线性理论.在电子作大回旋运动与考虑速度零散的情况下,采用四阶龙格库塔法,对均匀截面开槽波导3次谐波回旋行波放大管注波互作用进行了数值计算,得出一些重要的互作用规律,为回旋行波放大管的进一步研究打下了基础.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:155648
    • 提供者:weixin_38577378
  1. 高频信号放大电路的性能比较分析

  2. 高频管(UHF)9018fTl00(MHz)的信号放大电路电视高频头输出的第一中频信号和音频信号通过高频管9018放大后也确有显效。该电路已被广泛地使用。但是高频管9018对调频弱信号放大的结果令人大失所望。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:92160
    • 提供者:weixin_38612095
  1. 高频信号的性能比较分析

  2. 一、高频管(UHF)9018fTl00(MHz)的信号放大电路电视高频头输出的第一中频信号和音频信号通过高频管...
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:88064
    • 提供者:weixin_38593380
  1. 电源技术中的高频开关稳压电源的基本构成

  2. 高频开关稳压电源采用功率半导体器件作为开关器件,并通过开关器件的周期性间断工作来控制其占空比,从而调整输出电压。高频开关稳压电源的基本构成如图1所示,图中的DC/DC变换器是高频开关稳压电源的核心部分(其作用是进行功率转换),此外还有启动、过流与过压保护、噪声滤波等电路。输出采样电路(R2、R2)主要用来检测输出电压的变化,并将其与基准电压Ur进行比较,比较后获得的误差电压经过放大及脉宽调制(PWM)电路处理后,输出至驱动电路(其作用是控制功率器件的占空比),从而达到调整输出电压大小的目的。图2
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:52224
    • 提供者:weixin_38565818
  1. 电子测量中的驱动陶瓷扬声器的放大电路设计考虑

  2. 今天的便携式设备推动了对更小、更薄以及更高功效电子器件的需求。现在蜂窝电话的外形已经变得相当纤薄,以至于传统的电动式扬声器已经成为制造商将手机能制造成多薄的限制因素。陶瓷或压电扬声器正在迅速成为电动式扬声器的可行替代器件。这些陶瓷扬声器(驱动器)可以以纤薄而小巧的封装提供极具竞争力的声压水平(SPL),它们极有可能替代传统的音圈电动式扬声器。电动式和陶瓷扬声器之间的主要区别请参考表1(文章最后)。   驱动陶瓷扬声器的放大器电路与驱动传统电动式扬声器的放大器电路相比有不同的输出驱动要求。陶瓷扬
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:313344
    • 提供者:weixin_38638309
  1. 电源技术中的高频开关的光耦合器驱动器

  2. 光耦合驱动器TLP250的驱动电路如图1所示。其中包括光耦合器、前级放大器、触发器、功率放大器等部分。   图1 光耦合驱动器的驱动电路   1)光耦合器   光耦合器通常简称为光耦,它是由发光二极管和接收二极管组成。当发光二极管通过毫安级的电流时,接收二极管能产生出微安级的电流和不大的电压。光耦的隔离耐压通常大于1500 V,分布电容小,干扰也很小。   2)前级放大器   前级放大器是一个运算放大器(比较器),放大倍数大,输出脉冲沿较陡。   3)触发器   触发器能使输出
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:60416
    • 提供者:weixin_38519660
  1. 电源技术中的高频开关用变压器耦合驱动

  2. 1)进行电气隔离   当驱动电路的浮地电位与被驱动的开关管源极电位不同时,应该采用电位隔离的方式驱动,其方法之一是用变压器耦合隔离驱动,这样可以传输足够大的驱动电压和驱动电流。   2)电路   采用变压器耦合的驱动电路如图1所示。图中V1和V2为控制集成芯片的输出级,V3为加人的功率放大级以驱动变压器的初级。变压器的初、次级对应端用“·”表示。   (1)上升沿:驱动脉冲电压前沿V3导通,带“·”的A端为正,变压器次级绕组的电压us为正,“·”端的输出电流经D1、D2、R4,对V5功率MOS
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:54272
    • 提供者:weixin_38715772
  1. 电源技术中的高频开关加入驱动功率放大级驱动

  2. 1)必要性   当驱动控制芯片的输出峰值电流不够大、或芯片温升偏高而影响基准电压温漂、或无灌电流能力时,可以加入驱动功率放大级如图1所示。   2)电路   驱动电路加人功放级后的电路如图1所示。驱动芯片的脉冲输出级V1及V4作为PWM的信号源,V3和V4为加入的NPN和PNP互补式推挽 控制芯片功放级。R1及R3用于限制驱动峰值电流,R2和R4用于静态放电。   3)增加“灌”电流能力   无“灌”电流能力的控制芯片(如3524)没有V2管,而V4管的基极电流偏小(只有流经R2的毫安
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:55296
    • 提供者:weixin_38719578
  1. 电源技术中的高频开关电源控制电路与驱动电路的隔离方法

  2. 变压器最适合于传递高频信号,同时也可以传递驱动功率,因此很适合置于驱动电路与开关管之间。以反激开关调节系统为例,图所示为用驱动变压器Trl使驱动电路与主电路电气隔离的方法,在本例中,控制电路与转换器的输出端共地,PWM控制器产生的开关脉冲信号经过驱动电路功率放大后,再由驱动变压器控制开关管V,保证了电路的隔离。   图 采用变压器隔离的反激转换器系统    来源:ks99
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:49152
    • 提供者:weixin_38563552
  1. 电源技术中的高频开关电源的热应力自动均流法[2]

  2. 热应力自动均流法,也是一种按平均值自动均流的一种方法。图1所示为热应力法均流控制电路的原理图,按照每个模块的电流和温度(即热应力)自动均流。模块屁的负载电流和温度经过检测放大后,输出电压Uik:   图1 热应力法均流控制电路的原理图       Uik=rIkTα   式中r、α——常数;     T——模块温度;   Ik——模块K的输出电流。   因此,每个模块的电流和温度可以决定模块之问的电流分配。电压Uik加到一个电阻电桥的输入端,电桥的输出(a、b两点)接比较器的输人端,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:63488
    • 提供者:weixin_38608875
  1. 飞兆推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)领先业界的功率产品系列又添新成员,宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品,能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间,能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流,毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/DC
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    • 发布日期:2020-11-27
    • 文件大小:58368
    • 提供者:weixin_38518958
  1. 元器件应用中的高频品体管和低频晶体管的互相代换

  2. 一般情况下低频管都不能代替高频管使用,因为一般高频管所工作的电路都大于低频管最高的频率3MHz以上。  如收音机电路,即使是中波段525-1605kHz,因要求晶体管的实际频率都应大于3-5倍的工作频率,因此中波高端1605kHzx3也超过了低频晶体管的最高频率3MHz,所以低频晶体管就不能代替高频管使用。      高频管要代替低频管使用从频率角度看是没有问题的,主要看集电极最大耗散功率PcM是否符合要求。如锗高频管的PcM为5OmW左右;硅高频管(如3DG4等)大都在100mW以上。  所以
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:26624
    • 提供者:weixin_38509656
  1. 元器件应用中的半导体三极管放大电路的主要特性

  2. 共发射极电路的电流、电压和功率放大倍数最高,因而是一种使用最广泛的电路;共基极电路的频率特性最好,因而它在高频电路中使用得最多;共集电极电路有着输入阻抗高、输出阻抗低的特点,常用来作阻抗变换器使用。     下表列出了这三种电路的主要特性:   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:73728
    • 提供者:weixin_38662367
  1. 元器件应用中的3DA系列高频大功率三极管主要特性参数介绍

  2. 高频大功率三极管一般是指特征频率大于4MHz,耗散功率大于1W的三极管。     高频大功率三极管可广泛应用于高、中、低频功率放大、开关电路,稳压电路,模拟计算机功率输出电路,以及无线电通信、无线电广播、电视发送设备的放大电路和功率驱动电路等。   3DA系列高频大功率三极管属硅NPN型三极管,主要特性参数见下表。   表 3DA系列高频大功率三极管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:191488
    • 提供者:weixin_38715094
  1. 元器件应用中的大功率集成功率放大

  2. 大功率集成功率放大器是一种新型的音响功放集成模块,它和一般的集成功率放大器相比,具有增益高、失真小、频率响应宽、功耗小、输出功率大等特点。采用大功率集成功率放大器不需外加任何外围元件,只要连接电源及发音设备,不用调试便可制作出高音质、大功率的音频功率放大器。  使用大功率集成功率放大器时必须安装适当的散热器,只有保证集成电路表面的温度不大于70℃时才能工常工作,必要时应加装仪表风扇进行风冷散热。制作放大器时,各引线不要直接焊接在集成电路的引脚上,最好把各种引线焊接在插脚上,再接大集成电路的引脚。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:118784
    • 提供者:weixin_38743506
  1. 模拟技术中的LA1185 调频高频的功能特点

  2. LAl185集成电路内含调频高频放大电路、调频本振电路、调频混频电路、缓冲放大电路、偏置电路、稳压电路以及其他一些附属电路。其内电路方框图如图所示。                                图:LAl185集成电路的内电路方框图  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:36864
    • 提供者:weixin_38665944
  1. 模拟技术中的瑞萨新款RQA0010/14高频功率MOSFET适用于功率放大器

  2. 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。   这两种产品可以放大转换为高频的音频信号,以发射规定的输出功率,并将该功率传送给天线。1W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品,0.25W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。   这两种产品具有以下特点:
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:47104
    • 提供者:weixin_38737213
  1. 电源技术中的瑞萨推出新款高频功率MOSFET RQA0010/14

  2. 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。   这两种产品可以放大转换为高频的音频信号,以发射规定的输出功率,并将该功率传送给天线。1W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品,0.25W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。   这两种产品具有以下特点:   低电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:47104
    • 提供者:weixin_38516706
  1. RFID技术中的瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件

  2. 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。   这两种产品可以放大转换为高频的音频信号,以发射规定的输出功率,并将该功率传送给天线。1W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品,0.25W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。   这两种产品具有以下特点。   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:69632
    • 提供者:weixin_38737176
  1. RFID技术中的瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET

  2. 这两种产品可以放大转换为高频的音频信号,以发射规定的输出功率,并将该功率传送给天线。1W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品,0.25W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。   这两种产品具有以下特点   低电压操作条件下的更高效率和更高输出可实现最终产品更低的功耗    手持式无线设备已为商业和休闲无线应用广泛采用,而降低功耗才能增加手持式操作的使用时间。出于这个理由,瑞萨推出了可以在低电压操作条件下实现更高效率和更高输出的两款功率MOSFET产品。    通过采用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:64512
    • 提供者:weixin_38661128
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