说明:为了解决基于绝缘体上硅(SOI)的大型谐振器获得更高品质因数(Q)的困难,进行了耦合区域的设计优化。 从理论上分析了光腔的耦合长度,耦合比和品质因数之间的关系。 通过微机电系统(MEMS)Craft.io制备了具有不同耦合方式(同心,直和蝶形)的谐振器(R = 100μm)。 耦合实验结果表明,蝶形耦合的微腔可获得最窄的(3 dB)带宽,并且品质因数得到了极大的提高。 研究结果为实现大尺寸高Q谐振器及其在集成光学陀螺仪,滤波器,传感器和其他相关领域的开发和应用提供了基础。
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