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偏压条件对SiGe HBT中60 Coγ的总电离剂量效应的影响
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上传时间: 2021-03-15
详细说明：研究了偏置条件对硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）总电离剂量（TID）的影响。 SiGe HBT在60Coγ辐照期间设置为正向，饱和，截止和全接地偏置。 在每次辐照停止后，测量正向Gummel特性和反向Gummel特性，并对SiGe HBT的TID进行3-D仿真。 通过分析归一化过大的基极电流，可以得出不同偏置条件下的TID机制。 结果表明，SiGe HBT的各种辐照偏压下的TID损伤是不同的，正反Gummel特性之间的最差偏压表现出不一致的现象。 原因可以归因于在各种偏压条件下通过辐照在氧化物层中产生和积累的不同缺陷。 具体地说，氧化物阱的电荷。发射极/基极（E / B）隔离层中的（Not）对正向胶粘特性很重要，但LOCOS中的Not决定了胶粘剂的逆特性。 然而，长时间辐照后，尽管处于正向胶模或逆胶模态，E / B隔离层和LOCOS中的界面态（Nit）仍然是对SiGe HBT的损害。
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