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选择性区域金属有机气相外延生长的InGaAs / InP多量子阱纳米线的径向生长演化
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文件大小: 628kb
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上传时间: 2021-03-14
详细说明：通过选择性区域外延（SAE）进行的III–V半导体多量子阱纳米线（MQW NW）对于开发用于光通信，硅光子学和量子计算等应用的纳米级发光器件非常重要。 为了获得高效的发光器件，不仅高质量的材料，而且对其生长机理和材料特性（结构，光学和电学性质）的深刻理解也至关重要。 尤其是，通过SAE嵌入在NW结构中的MQW的三维生长机理预计与在平面结构中或通过催化剂生长的MQW的三维生长机理不同，并且尚未进行深入研究。 在这项工作中，我们揭示了通过SAE金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的InGaAs / InP MQW NW的独特径向生长演变。 我们观察到在纤锌矿（WZ）基-InP NW上轴向InGaAs QW生长引起的锌共混物（ZB）QW盘的形成，并提出将其作为驱动径向生长总体结构的关键因素。 考虑到不同方面之间形成能的差异，ZB到WZ的变化在整体增长演变的驱动中的作用得到了增长形式主义的支持。 尽管在MQW区域上具有ZB和WZ相混合的多型晶体结构，NW仍显示出较高的均匀性和理想的QW空间布局，且在〜1.3μm的光通信波长下具有明亮的室温光致发光，这对未来的发展有希望。高效发光器件。
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