文件名称:
基于Cr:ZnS饱和吸收体的Tm:YAP激光器的无源Q开关锁模
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文件大小: 574kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-13
详细说明:以Cr:ZnS晶片作为可饱和吸收体,据我们所知,它首次实现了二极管泵浦的Tm:YAP激光器在1976 nm处的无源Q开关锁模,其调制度接近100%。达到了Q开关锁模的深度。 在大约300 ns长的Q开关脉冲包络内,锁模脉冲的宽度估计约为980 ps,重复频率为350 MHz。 获得了940 mW的最大输出功率,对应于0.55 mJ的调Q脉冲能量。 提出并讨论了连续波与调Q锁模操作之间的发射波长演化。 实验结果表明,Cr:ZnS吸收剂是一种有前景的可饱和吸收剂,可用于2μm左右的被动Q开关锁模操作。
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