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通过SiNx / SiOx钝化和双重P扩散吸杂处理的组合提高c-Si太阳能电池的性能
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文件大小: 605kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-13
详细说明：SiNx / SiOx钝化和双面P扩散吸杂处理已用于制造c-Si太阳能电池。 经二次P扩散处理后，制成的太阳能电池具有较高的开路电压和短路电流。 除了更好的表面钝化效果，SiNx / SiOx层在长波长范围内的反射率比传统的SiNx膜低。 结果，与常规的c-Si太阳能电池相比，这种太阳能电池表现出更高的转换效率和更好的内部量子效率。
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