文件名称:
生长和退火温度对Ge995Sn0.005外延层的应变和表面形态的影响
开发工具:
文件大小: 2mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-12
详细说明：具有低锡含量（0.5％）的Ge1-xSnx合金通过分子束外延在220°C至500°C的不同温度下直接生长在Si（1 0 0）衬底上。 测量了原位RHEED图案，AFM图像和HR-XRD曲线，以研究Ge0.995Sn0.005合金的表面形态和应变。 发现在合金沉积期间发生的表面粗糙随着生长温度TG的增加而增强。 在合金的低温异质外延生长过程中引入了压缩残余应变。 随着TG的增加，它逐渐释放，而拉伸热应变增加。 结果，如果TG足够高（> 420℃），则获得了拉伸面内应变。 还研究了退火温度TA的影响。 结果表明，在TA≤600°C时，合金的表面形貌和污点仅略有变化。 如果TA进一步增加，则表面粗糙度显着增加并且残留的异质外延应变基本上被释放。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
