文件名称:
利用单元状态的非对称错误率来提高闪存存储系统的性能
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文件大小: 640kb
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上传时间: 2021-03-12
详细说明：的可靠性 闪光 记忆 多级电池的引入使情况变得越来越糟 （MLC）和三级 细胞 （TLC）技术。 到 考虑可能 错误，每页中 闪光 记忆 配备了 错误 校正代码（ECC）模块。 根据选择的ECC方案 到 最坏的情况 错误 闪存中所有页面上出现的次数 记忆力。 最近的研究表明，MLC 闪光 细胞 在不同的 状态 展品多样 错误 费率 差别是巨大的。 因此，具有不同数据的页面将展示出完全不同的页面 错误 费率。 现有技术对一个页面中的所有页面使用统一的ECC方案 闪光 记忆 远非最佳。 这篇报告 漏洞利用 不对称 错误 费率 由页面展示的具有不同数据以供写入 性能改善。 在对页面进行编程之前，其特定的 错误 速率，称为内容相关位 错误 速度 （CDBER），根据 到 页面的内容。 页面的CDBER与最大值之间的边距 错误 速度 通过统一的ECC代码可纠正的是 被剥削 写 表现 改进。 仿真结果表明，该方法具有一定的指导意义。 到 重要的写作 表现 改进。
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