文件名称:
高性能MAHAHOS存储设备：带隙工程结构中的电荷捕获和分布
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-03-10
详细说明：在本文中，我们研究了在HfO2捕获层中间具有2 nm Al2O3界面层的MAHAHOS存储设备。 我们探索静电力显微镜（EFM）技术，以确认陷阱层结构中的Al2O3界面层通过引入界面来改善电荷陷阱能力。 通过研究改变插入的Al2O3层位置对电学特性的影响，可以证明对俘获电荷分布的调制。 带隙工程的结果是，MAHAHOS（HAH 5/2/5）器件显示出9.2 V存储器窗口的最佳性能，改进的高温保持性和高达105个周期的平坦耐久性。
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