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从亚阈值到强反转区域的环绕栅MOSFET的量子约束模型
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上传时间: 2021-03-10
详细说明：针对短通道环绕栅MOSFET的量子约束效应，开发了一种新的分析模型。 本征能和波函数是通过求解具有精确的势能分布的薛定equation方程获得的。 势能分布从泊松方程的解导出，泊松方程既包含耗尽电荷，又包含自由电荷。 与其他两个量子约束模型相比，从我们的模型中获得的本征能分别使用平阱近似和抛物线阱近似作为势能分布。 并首次指出了本征能与势能分布之间的关系。 在此模型的基础上，推导了具有量子约束效应的电子密度
，并基于平均电子密度定义了阈值电压。
考虑了量子约束效应，阈值电压< br变得更大。 结果表明，该模型适用于不同沟道掺杂条件下的亚阈值区域至强反演区域。
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