文件名称:
Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析
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上传时间: 2021-03-10
详细说明：本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.
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