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用于高性能光电检测的独立层结构化PbI2和MAPbI3纳米片的大规模合成
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文件大小: 512kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-09
详细说明：近来，由于有可能变薄到原子厚度以实现外来特性，因此层状材料引起了广泛的研究关注。 特别地，一种层状材料PbI2及其钙钛矿衍生物CH3NH3PbI3（即MAPbI3）已显示出令人印象深刻的光响应能力，可实现高效的光检测。 本文中，通过在物理气相沉积过程中操纵微环境，证明了大规模，高密度和独立式PbI2纳米片的合成。 与沿衬底表面的常规二维（2D）生长相反，此处的本质是相对于下面的粗糙表面衬底的面内方向具有不同角度的微平面的有效成核。 当配置成光电探测器时，所制造的器件在405波长下表现出410 mA W-1的光响应度，3.1×1011 Jones的检测度以及上升和衰减时间常数分别为86和150 ms的快速响应。纳米这些PbI2纳米片也可以通过化学气相沉积完全转化为MAPbI3材料，具有高达40 AW-1的改进的光响应性。 所有这些性能参数都可以与基于最新层状材料的光电探测器相媲美，从而揭示了这些独立式纳米片对下一代高性能光电器件的技术潜力。
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