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X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
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上传时间: 2021-03-07
详细说明：非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结的能带偏移通过X射线光发射测量光谱学。 在非极性GaN / AlN和AlN / GaN异质结中观察到较大的前后不对称性。 确定非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结中的价带偏移为1.33± 0.16和0.73±0.16 eV。 非极性GaN / AlN之间的价带偏移大，为0.6 eV AlN / GaN异质结被认为是由于非极性异质结中的压电应变效应引起的叠加器。
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