文件名称:
重离子辐射对Pt / HfO2 / Ti电阻开关记忆的影响
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文件大小: 342kb
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上传时间: 2021-03-06
详细说明：在此概述中，研究了具有Pt / HfO2 / Ti结构的电阻式随机存取存储器（RRAM）在辐射环境中的应用。 使用HIRFL（兰州的重离子研究设施）的重离子86Kr26 +作为辐射源。 86Kr26 +的能量为25 MeV / u，LET的能量为37.6 MeV /（cm2 / mg），辐射后获得5e11的能量密度。 在辐射之前和之后比较Pt / HfO2 / Ti的基本电性能。 辐射后的原始电阻值显示出明显的降低，并且不再需要形成过程。 辐射后，HRS，LRS，过渡电压和耐力仍然稳定。
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