文件名称:
双随机源：低成本方法，用于增强CMOS型Ising芯片的局部最优逃逸能力
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文件大小: 340kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-06
详细说明：对于CMOS型Ising芯片的准确性和效率而言至关重要的局部最优转义能力，受接受更坏状态的可能性的影响很大。 从理论上讲，这种可能性由能垒和温度共同决定。 但是，由于实现的复杂性，在现有的CMOS型Ising芯片中没有考虑能垒。 我们提出了一种基于双随机源的方法，该方法将上述概率与能垒重新关联，同时提出了为低成本而消除计算能垒的建议。 实验表明，该方法可以将CMOS型Ising芯片的精度提高7.6％，将误差限制在1％以内。 而且，它可以将收敛速度提高100倍
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