文件名称:
低栅极电压操作的多发射点H +离子敏感门控横向双极结型晶体管
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文件大小: 677kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-06
详细说明：提出了一种低栅极电压操作的多发射极点栅横向双极结型晶体管（BJT）离子传感器。 所提出的器件由一个阵列的横向栅极BJT组成，该栅极以金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）-BJT混合工作模式驱动。 此外，它具有多个彼此并联连接的发射器点，以提高离子敏感性。 使用氢离子溶液作为参考溶液，我们进行了实验，比较了多发射极点栅横向BJT与单发射极点栅横向BJT的灵敏度和阈值电压。 多发射极点栅横向BJT不仅显示出更高的灵敏度，而且更重要的是，所提出的器件可以在非常低的栅电压下工作，而传统的离子敏感场效应晶体管则不能。 对于低功率器件和难以提供栅极电压的功能器件而言，此特殊特性非常重要。
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