文件名称:
HVPE生长的块状GaN晶体的电学性质
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-06
详细说明：研究了氢化物气相外延（HVPE）生长的高质量块状GaN晶体的电学性质。 从由HVPE生长的同一块体晶体中切出一系列样品。 样品的晶体质量由阴极发光（CL）和高分辨率X射线衍射测量（HRXRD）表征，评估的位错密度范围为2.4 X 106 cm2至2.3 X 105 cm-2。 进行了与温度有关的霍尔测量，并对结果进行了理论分析。 结果表明，在低位错密度（≤106cm-2）和低载流子浓度（≤1017cm-3）下，杂质浓度应在电性能中起重要作用。 随着杂质浓度的降低，霍尔迁移率从619增加到1160 cm2 /（V s），载流子浓度从5.42 X 1016 cm-3减小到1.31 X 1016 cm-3。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
