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文件名称: n-ZnO / p-CuI异质结的制备及能带取向
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 231kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-03-05
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:通过在p型γ-CuI(111)上生长未掺杂的n型ZnO薄膜来制造N-ZnO / P-CuI异质结。 使用射频磁控溅射的单晶衬底。 通过使用X射线衍射和扫描电子显微镜,ZnO膜被识别为具有c轴优选取向的柱状结构。 使用X射线光电子能谱仪对ZnO / CuI界面的能带对准进行测量,得出价带偏移为1.74 eV,导带偏移为-1.37 eV,这意味着该界面处的II型能带对准。 电流-电压曲线的典型二极管行为表明,随着进一步的发展,它在光电学中的可能应用。
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