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凹陷层对GaN平面耿氏二极管中多域和谐波的调制
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上传时间: 2021-03-04
详细说明：本文提出了一种具有等腰的氮化镓（GaN）平面耿氏二极管的新型结构提出了在氮化铝镓（AlGaN）势垒层中的梯形凹进层增强耿氏振荡波形的谐波分量。 数值模拟演示了带有凹口的振荡频率从99.1 GHz上升到300.4 GHz 数字从一增加到四，此时最大射频（RF）输出功率获得转化效率。 二极管的输出性能在高温下提高谐波频率，主要归因于多个凹陷层结构，可触发GaN的二维电子气通道中多个Gunn域的形成平面耿氏二极管。 这表明长沟道GaN Gunn二极管具有输出的能力与以亚毫米波工作的设备相关的可用RF功率，以及太赫兹（THz）体制。
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