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上传时间: 2021-02-26
详细说明：提出了一种新的采用载流导线的表面双磁光阱(MOT)方案(即双U型导线磁光阱方案)。通过改变中间U型导线中的电流大小，即可将一个双磁阱连续地合并为一个单磁阱，反之亦然。详细计算和分析了上述双U型载流导线磁光阱方案的磁场及其梯度的空间分布，研究发现当导线中的电流为600 A，z方向均匀偏置磁感应强度为-4.0×10-3 T时，双U型导线方案产生的两个磁阱中心的磁场梯度约为1.5×10-3 ～2.5×10-3 T/cm，结合通常制备磁光阱时所用的三维粘胶(Molasses)光束即可在基底表面附近形成一双磁光阱。理论分析表明在弱光近似下，每个磁光阱中所能俘获的85Rb原子数约为106量级，相应的磁光阱温度约为270 μK。由于双磁光阱可以独立制备，所以双U型导线方案特别适用于制备双样品磁光阱，并用于研究双原子样品的冷碰撞性质。
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