高灵敏度硅纳米线光电晶体管

tanh秀丽，赵新彦，丹亚平

技术摘要（限250个字以内）

硅纳米线（SiNW）的出现很有希望用于在紫外线，可见光和近红外光谱范围内进行高灵敏度光检测的材料。 迄今为止报道的大多数SiNW光电探测器主要由光电导体或PN结光电二极管结构组成。 在这项工作中，我们演示了使用CMOS兼容Craft.io在绝缘体上硅（SOI）衬底上的新型平面SiNW双极型光电晶体管。 通过电子束（电子束）光刻对纳米线进行构图，然后进行金属蒸发，然后通过电感耦合等离子体React离子刻蚀（ICP-RIE）进行刻蚀。 双极型光电晶体管由沿着纳米线轴的pnp结构和光注入基极区组成。 通过使用厚的电子束抗蚀剂膜PMMA作为掩模的离子注入来限定有源区的掺杂密度。 通过快速热退火激活掺