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直流磁控溅射工艺条件对玻璃基TiN薄膜晶面取向及化学计量比的影响
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上传时间: 2021-02-25
详细说明：用直流磁控溅射法, 通过改变餓射总气压及N2与Ar的比例,在玻璃基片上制备了一系列TiN薄膜试样, 利 用X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分别对试样的晶面取向和化学计量比进行了研究。XRD的结果显示,在其他条件不变的情况下, 当N2与Ar的比例不变,增加溅射总气压时,R值(TiN膜(200)与(111)晶面强度比)逐渐减小,在溅射总气压接近1.0 h时, R值接近1;当固定溅射总气压,加大溅射气体中N2的比例时,R值 随N2比例的增加先增大,当N2的比例大于10%后,R值几乎不再随N2比例的增加而变化。XPS的结果表明, 所有试样的Ν与Ti的原子比均大于1;改变溅射气体中N2的比例可明显改变N/Ti的比值,当N2的比例在5%左右时,Ν/Ti的比值达1.3。
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