文件名称:
在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体上制成超晶格光波导
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-25
详细说明：最近，松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延（MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化 合物半导体的超晶格制作技术，以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs上形成100层Ⅱ-Ⅵ族 的ZnSe/ZnS超晶格层。用这一超晶格层制出负载型光波导，以H&Ne激光入射，第一次成功地做了超晶格三维可见光波导实验。
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