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具有极小的寄生电容和漏极感应势垒降低的自对准U型栅极碳纳米管场效应晶体管
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文件大小: 4mb
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上传时间: 2021-02-24
详细说明：引入了用于碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）的新型自对准U栅极结构，并显示出与以前的最佳CNT FET相当的出色的性能，可重复性开发了自对准器件结构。 特别是，U栅极FET的亚阈值摆幅为75 mV / dec，漏极引起的势垒降低有效地为零，这表明整个CNT通道的静电势最受U栅极控制，并且CNT该器件是性能良好的FET。 此外，研究了U栅FET的高频响应，并测量了该器件的寄生电容，该寄生电容比先前开发的自对准器件结构的寄生电容小一个量级。 直接频域测量表明，U栅CNT FET可以在高达800 MHz的频率下工作，这也高于先前报道的值。 器件高频性能的大幅改善很大程度上是由于源/漏极和栅极之间的高kappa介电材料被kappa大约为1的空闲空间所替代，并且显着降低了器件寄生电容使U栅CNT FET有望用于射频应用。
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