文件名称:
长波长HgCdTe光伏红外探测器暗电流机理的温度依赖性分析
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文件大小: 254kb
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上传时间: 2021-02-24
详细说明：在40-150 K的温度范围内测量形成128元件阵列的n-on-p Hg1-xCdx Te长波长红外光电二极管的电阻-电压曲线。通过同时模式非线性拟合程序拟合实验获得的特性。 RV曲线拟合的物理模型包括由扩散，生成重组，陷阱辅助隧穿，带间隧穿和串联电阻效应引起的暗电流机制。 从测量的RV曲线中提取了六个随温度变化的特征参数。 低温下提取的电流分量的特性表明隧穿效应的显着贡献，这是反向偏置大于约50 mV的主要泄漏电流机制。 汞空位诱导的陷阱陷阱在较高的温度下（通常大于120 K）趋向于转变为供体类型，而在60-40 K的温度下可以保持稳定。离子注入诱发的陷阱的稳定温度约为90-60 K，在高温
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